TY -
GEN
AU - Fritsche, Rainer
TI -
Van-der-Waals-terminierte Silizium-(111)-Oberflächen und Grenzflächen
Präparation, Morphologie und elektronische Eigenschaften
KW - Silicium
KW - Kristallfläche
KW - Passivierung
KW - Galliumselenide
KW - Halbleitersubstrat
KW - Epitaxie
KW - Metall
KW - Verbindungshalbleiter
KW - Silicium ; Van-der-Waals-Kraft ; Halbleitergrenzfläche ; Heteroübergang ; Zwei-Sechs-Halbleiter ; Galliumselenide ; Heteroepitaxie ; Epitaxie ; Oberfläche ; Grenzfläche ; Metall-Halbleiter-Kontakt ; Photoelektronenspektroskopie ; Rastertunnelmikroskopie
KW - (VLB-WG)689: Technik / Sonstiges
KW - Hochschulschrift
KW - Online-Publikation
PY - 2005
UR - http://slubdd.de/katalog?TN_libero_mab2
ER -