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  1. Cheng, Shiou-Ying; Chen, Chun-Yuan; Chen, Jing-Yuh; Chuang, Hung-Ming; Liu, Wen-Chau; Chang, Wen-Lung; Pan, Hsi-Jen; Chen, Pao-Chuan

    Comprehensive analysis of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) with different thickness of setback layers

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    SPIE, 2004

    Erschienen in: SPIE Proceedings

  2. Chen, Jing-Yuh; Wang, Wei-Chou; Pan, Hsi-Jen; Feng, Shun-Ching; Yu, Kuo-Hui; Cheng, Shiou-Ying; Liu, Wen-Chau

    Characteristics of InGaP/GaAs delta-doped heterojunction bipolar transistor

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    American Vacuum Society, 2000

    Erschienen in: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena

  3. Wen-Chau Liu; Wei-Chou Wang; Hsi-Jen Pan; Jing-Yuh Chen; Shiou-Ying Cheng; Kun-Wei Lin; Kuo-Hui Yu; Kong-Beng Thei; Chin-Chuan Cheng

    Multiple-route and multiple-state current-voltage characteristics of an InP/AlInGaAs switch for multiple-valued logic applications

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2000

    Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices

  4. Wen-Chan Liu; Wen-Lung Chang; Wen-Shiung Lour; Hsi-Jen Pan; Wei-Chou Wang; Jing-Yuh Chen; Kuo-Hui Yu; Shun-Ching Feng

    High-performance InGaP/InxGa/sub 1-x/As HEMT with an inverted delta-doped V-shaped channel structure

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1999

    Erschienen in: IEEE Electron Device Letters

  5. Wen-Chau Liu; Wei-Chou Wang; Jing-Yuh Chen; Hsi-Jen Pan; Shiou-Ying Cheng; Kong-Beng Thei; Wen-Lung Chang

    A novel InP/InAlGaAs negative-differential-resistance heterojunction bipolar transistor (NDR-HBT) with interesting topee-shaped current-voltage characteristics

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1999

    Erschienen in: IEEE Electron Device Letters

  6. Wen-Chau Liu; Wen-Lung Chang; Wen-Shiung Lour; Shiou-Ying Cheng; Yung-Hsin Shie; Jing-Yuh Chen; Wei-Chou Wang; Hsi-Jen Pan

    Temperature-dependent investigation of a high-breakdown voltage and low-leakage current Ga/sub 0.51/In/sub 0.49/P/In/sub 0.15/Ga/sub 0.85/As pseudomorphic HEMT

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1999

    Erschienen in: IEEE Electron Device Letters