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  1. Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Slesazeck, Stefan [VerfasserIn]; Park, Min Hyuk [VerfasserIn]; Schroeder, Uwe [VerfasserIn]

    Ferroelectric hafnium oxide for ferroelectric random-access memories and ferroelectric field-effect transistors

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    Berlin : Springer, [2022]

  2. Mulaosmanovic, Halid [VerfasserIn]; Breyer, Evelyn T. [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Slesazeck, Stefan [VerfasserIn]

    Recovery of Cycling Endurance Failure in Ferroelectric FETs by Self-Heating

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    New York, NY : IEEE, [2021]

  4. Yurchuk, Ekaterina [VerfasserIn] ; Mikolajick, Thomas [AkademischeR BetreuerIn]; Dörr, Kathrin [AkademischeR BetreuerIn]

    Electrical Characterisation of Ferroelectric Field Effect Transistors based on Ferroelectric HfO2 Thin Films

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    Dresden: Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden; Dresden: Technische Universität Dresden, 2015

    Erschienen in: Research at NaMLab

  5. Mulaosmanovic, Halid [VerfasserIn]; Chicca, Elisabetta [VerfasserIn]; Bertele, Martin [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Slesazeck, Stefan [VerfasserIn]

    Mimicking biological neurons with a nanoscale ferroelectric transistor

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    Cambridge : RSC, [2022]

  6. Mulaosmanovic, Halid [VerfasserIn]; Breyer, Evelyn T. [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Slesazeck, Stefan [VerfasserIn]

    Ferroelectric FETs With 20-nm-Thick HfO₂ Layer for Large Memory Window and High Performance

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    New York, NY : IEEE, [2021]