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  2. Ali Deeb, Manal [Verfasser:in]; Ledig, Johannes [Verfasser:in]; Wei, Jiandong [Verfasser:in]; Wang, Xue [Verfasser:in]; Wehmann, Hergo-Heinrich [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]

    Photo-assisted Kelvin probe force microscopy investigation of three dimensional GaN structures with various crystal facets, doping types, and wavelengths of illumination

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    [S.l.]: AIP Publishing, 2017

  3. Wolter, Stefan [Verfasser:in]; Spende, Hendrik [Verfasser:in]; Gülink, Jan [Verfasser:in]; Hartmann, Jana [Verfasser:in]; Wehmann, Hergo-Heinrich [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]; Lex, Andreas [Verfasser:in]; Avramescu, Adrian [Verfasser:in]; Lugauer, Hans-Jürgen [Verfasser:in]; Malm, Norwin von [Verfasser:in]; Drolet, Jean-Jacques [Verfasser:in]; Strassburg, Martin [Verfasser:in]

    Size-Dependent Electroluminescence and Current-Voltage Measurements of Blue InGaN/GaN µLEDs down to the Submicron Scale - [Online-Ausgabe]

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    Basel: MDPI, 2021

    Erschienen in: Nanomaterials ; 2021, 11(4), 836; https://doi.org/10.3390/nano11040836

  4. Steib, Frederik [Verfasser:in]; Remmele, Thilo [Verfasser:in]; Gülink, Jan [Verfasser:in]; Fündling, Sönke [Verfasser:in]; Behres, Alexander [Verfasser:in]; Wehmann, Hergo-Heinrich [Verfasser:in]; Albrecht, Martin [Verfasser:in]; Straßburg, Martin [Verfasser:in]; Lugauer, Hans-Jürgen [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]

    Defect generation by nitrogen during pulsed sputter deposition of GaN

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    [S.l.]: AIP Publishing, 2018

  5. Henkel, Thilo [Verfasser:in]; Hanke, Michael [Verfasser:in]; Nicolai, Lars [Verfasser:in]; Cheng, Zongzhe [Verfasser:in]; Niehle, Michael [Verfasser:in]; Trampert, Achim [Verfasser:in]; Kahnt, Maik [Verfasser:in]; Falkenberg, Gerald [Verfasser:in]; Schroer, Christian [Verfasser:in]; Hartmann, Jana [Verfasser:in]; Zhou, Hao [Verfasser:in]; Wehmann, Hergo-Heinrich [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]

    Structure and Composition of Isolated Core-Shell (In,Ga)N/GaN Rods Based on Nanofocus X-Ray Diffraction and Scanning Transmission Electron Microscopy

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    [S.l.]: APS Physics, 2017

  6. Hartmann, Jana [Verfasser:in]; Steib, Frederik [Verfasser:in]; Zhou, Hao [Verfasser:in]; Ledig, Johannes [Verfasser:in]; Fündling, Sönke [Verfasser:in]; Albrecht, Friederike [Verfasser:in]; Schimpke, Tilman [Verfasser:in]; Avramescu, Adrian [Verfasser:in]; Vargehese, Tansen [Verfasser:in]; Wehmann, Hergo-Heinrich [Verfasser:in]; Strassburg, Martin [Verfasser:in]; Lugauer, Hans-Jürgen [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]

    High Aspect Ratio GaN Fin Microstructures with Nonpolar Sidewalls by Continuous Mode Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

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    [erscheinungsort nicht ermittelbar]: ACS Publications, 2016

  7. Hartmann, Jana [Verfasser:in]; Manglano Clavero, Irene [Verfasser:in]; Nicolai, Lars [Verfasser:in]; Margenfeld, Christoph [Verfasser:in]; Spende, Hendrik [Verfasser:in]; Ledig, Johannes [Verfasser:in]; Zhou, Hao [Verfasser:in]; Steib, Frederik [Verfasser:in]; Jaros, Angelina [Verfasser:in]; Avramescu, Adrian [Verfasser:in]; Strassburg, Martin [Verfasser:in]; Trampert, Achim [Verfasser:in]; Wehmann, Hergo-Heinrich [Verfasser:in]; Lugauer, Hans-Jürgen [Verfasser:in]; Voss, Tobias [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]

    3D GaN Fins as a Versatile Platform for a-Plane-Based Devices

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    [Hoboken, New Jersey]: Wiley, 2018

  8. Hartmann, Jana [Verfasser:in]; Steib, Frederik [Verfasser:in]; Zhou, Hao [Verfasser:in]; Ledig, Johannes [Verfasser:in]; Nicolai, Lars [Verfasser:in]; Fündling, Sönke [Verfasser:in]; Schimpke, Tilman [Verfasser:in]; Avramescu, Adrian [Verfasser:in]; Vargehese, Tansen [Verfasser:in]; Trampert, Achim [Verfasser:in]; Strassburg, Martin [Verfasser:in]; Lugauer, Hans-Jürgen [Verfasser:in]; Wehmann, Hergo-Heinrich [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]

    Study of 3D-growth conditions for selective area MOVPE of high aspect ratio GaN fins with non-polar vertical sidewalls

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    [Amsterdam]: Elsevier, 2017

  9. Hartmann, Jana [Verfasser:in]; Wang, Xue [Verfasser:in]; Schuhmann, Henning [Verfasser:in]; Dziony, Wanja [Verfasser:in]; Caccamo, Lorenzo [Verfasser:in]; Ledig, Johannes [Verfasser:in]; Mohajerani, Matin Sadat [Verfasser:in]; Schimpke, Tilman [Verfasser:in]; Bähr, Markus [Verfasser:in]; Schimpke, Tilman [Verfasser:in]; Daum, Winfried [Verfasser:in]; Seibt, Michael [Verfasser:in]; Straßburg, Martin [Verfasser:in]; Wehmann, Hergo-Heinrich [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]

    Growth mechanisms of GaN microrods for 3D core-shell LEDs : The influence of silane flow

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    [Hoboken, New Jersey]: Wiley, 2015

  10. Andreas Lubnow, Andreas Lubnow; Guang-Ping Tang, Guang-Ping Tang; Hergo-Heinrich Wehmann, Hergo-Heinrich Wehmann; Erwin Peiner, Erwin Peiner; Andreas Schlachetzki, Andreas Schlachetzki

    Effect of III/V-Compound Epitaxy on Si Metal-Oxide-Semiconductor Circuits

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    IOP Publishing, 1994

    Erschienen in: Japanese Journal of Applied Physics, 33 (1994) 6R, Seite 3628

  12. Ali Deeb, Manal; Ledig, Johannes; Wei, Jiandong; Wang, Xue; Wehmann, Hergo-Heinrich; Waag, Andreas

    Photo-assisted Kelvin probe force microscopy investigation of three dimensional GaN structures with various crystal facets, doping types, and wavelengths of illumination

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    AIP Publishing, 2017

    Erschienen in: Journal of Applied Physics, 122 (2017) 8

  14. Fündling, Sönke; Li, Shunfeng; Postels, Bianca; Al-Suleiman, Mohamed; Wehmann, Hergo-Heinrich; Bakin, Andrey; Waag, Andreas

    MOVPE gallium-nitride nanostructures fabricated on ZnO nanorod templates grown from aqueous chemical solution

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    IOP Publishing, 2009

    Erschienen in: IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, 6 (2009), Seite 012003

  16. Tang, Guang-Ping; Lubnow, Andreas; Wehmann, Hergo-Heinrich; Gregor Zwinge, Gregor Zwinge; Andreas Schlachetzki, Andreas Schlachetzki

    Antiphase-Domain-Free InP on (100) Si

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    IOP Publishing, 1992

    Erschienen in: Japanese Journal of Applied Physics, 31 (1992) 8A, Seite L1126

  17. Strempel, Klaas; Römer, Friedhard; Yu, Feng; Meneghini, Matteo; Bakin, Andrey; Wehmann, Hergo-Heinrich; Witzigmann, Bernd; Waag, Andreas

    Vertical 3D gallium nitride field-effect transistors based on fin structures with inverted p-doped channel

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    IOP Publishing, 2021

    Erschienen in: Semiconductor Science and Technology, 36 (2021) 1, Seite 014002

  19. Ledig, Johannes; Wang, Xue; Fündling, Sönke; Schuhmann, Henning; Seibt, Michael; Jahn, Uwe; Wehmann, Hergo‐Heinrich; Waag, Andreas

    Characterization of the internal properties of InGaN/GaN core–shell LEDs (Phys. Status Solidi A 1∕2016)

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    Wiley, 2016

    Erschienen in: physica status solidi (a), 213 (2016) 1, Seite 1-1