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  1. Mulaosmanovic, Halid [VerfasserIn]; Breyer, Evelyn T. [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Slesazeck, Stefan [VerfasserIn]

    Ferroelectric FETs With 20-nm-Thick HfO₂ Layer for Large Memory Window and High Performance

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    New York, NY : IEEE, [2021]