Zum Inhalt springen Liu, Kai; Wang, Chong; Zhang, Kuo; Ma, Xiaohua; Bai, Junchun; Zheng, Xuefeng; Li, Ang; Hao, Yue Analysis and modeling of the influence of gate leakage current on threshold voltage and subthreshold swing in p-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors Aufsätze Online ansehen Schließen > Zugang Schließen > Merkliste Sie können Bookmarks mittels Listen verwalten, loggen Sie sich dafür bitte in Ihr SLUB Benutzerkonto ein. AIP Publishing, 2024 Erschienen in: Journal of Applied Physics
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