%0 Generic
%T A 2TnC ferroelectric memory gain cell suitable for compute-in-memory and neuromorphic application
%A Slesazeck, Stefan
%A Ravsher, Taras
%A Havel, Viktor
%A Breyer, Evelyn T.
%A Mulaosmanovic, Halid
%A Mikolajick, Thomas
%I Technische Universität Dresden
%D 2022
%X In: International Electron Devices Meeting (IEDM). San Francisco, 07. -11.Dez. 2019
%C Technische Universität Dresden
%C Dresden
%U http://slubdd.de/katalog?TN_libero_mab2
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