%0 Generic
%T Untersuchung von pseudomorphen InGaAs/InAlAs/InP High Electron Mobility Transistoren im Hinblick auf kryogene Anwendungen
%A Tönnesmann, Andres
%K Hochschulschrift
%K HEMT
%K Indiumarsenid
%K Aluminiumarsenid
%K Galliumarsenid
%K Elektrische Eigenschaft
%K Temperaturabhängigkeit
%D 2002
%X Auch gedr. vorh. als: Berichte des Forschungszentrums Jülich ; 4043
%U http://slubdd.de/katalog?TN_libero_mab2
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