%0
Generic
%T
IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze
%A Fuhrmann, Jan
%A Eckel, Hans-Günter
%A Kaminski, Nando
%A Domes, Daniel
%I Universität Rostock
%K IGBT
%K Leistungshalbleiter
%K Simulation
%K Hochschulschrift
%D 2016
%C Universität Rostock
%C Rostock
%U http://slubdd.de/katalog?TN_libero_mab2