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Generic
%T
Van-der-Waals-terminierte Silizium-(111)-Oberflächen und Grenzflächen
Präparation, Morphologie und elektronische Eigenschaften
%A Fritsche, Rainer
%K Silicium
%K Kristallfläche
%K Passivierung
%K Galliumselenide
%K Halbleitersubstrat
%K Epitaxie
%K Metall
%K Verbindungshalbleiter
%K Silicium ; Van-der-Waals-Kraft ; Halbleitergrenzfläche ; Heteroübergang ; Zwei-Sechs-Halbleiter ; Galliumselenide ; Heteroepitaxie ; Epitaxie ; Oberfläche ; Grenzfläche ; Metall-Halbleiter-Kontakt ; Photoelektronenspektroskopie ; Rastertunnelmikroskopie
%K (VLB-WG)689: Technik / Sonstiges
%K Hochschulschrift
%K Online-Publikation
%D 2005
%U http://slubdd.de/katalog?TN_libero_mab2