%0 Generic
%T Nanoscale resistive switching memory devices: a review
%A Slesazeck, Stefan
%A Mikolajick, Thomas
%I IOP Publishing
%K Phase change memory (PCM)
%K Physik
%K nanoscale
%K Nanoskala
%K science-physics
%K resistives Schalten
%K Spin-transfer-torque MRAM (STT-MRAM)
%K resistive switching
%K Valence change memories (VCM)
%K ferroelektrischer Tunnelübergang (FTJ)
%K Phasenwechselspeicher (PCM)
%K Valenzwechselspeicher (VCM)
%K nichtflüchtiger Speicher (NVM)
%K Spin-Transfer-Torque-MRAM (STT-MRAM)
%K non-volatile memory (NVM)
%K Ferroelectric tunnel junction (FTJ)
%D 2022-11-10T10:23:39+0100
%X Hinweis: Link zum Artikel, der zuerst in der Zeitschrift 'Nanotechnology' bei IOP Publishing erschienen ist DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab2084
%C IOP Publishing
%C Bristol
%U http://slubdd.de/katalog?TN_libero_mab2
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