author = { Pešić, Milan Dragan Technische Universität Dresden },

title = { Gate stack engineering for emerging polarization based non-volatile memories },

edition = { [1. Auflage] } ,

publisher = {BoD Books on Demand},

isbn = {9783744867887},

isbn = {3744867889},

keywords = { Hochschulschrift , FRAM Informatik , Hafniumdioxid , High-k-Dielektrikum , Dynamisches RAM , Zirkoniumdioxid , Stapel , Schaltverhalten , Physikalischer Effekt , Antiferroelektrizität , Nichtflüchtiger Speicher },

year = {[2017]},

booktitle = {Research at namlab},

address = { Norderstedt },

url = { http://slubdd.de/katalog?TN_libero_mab2 }