%0 Generic
%T Non-Arrhenius Degradation of AlGaN/GaN HEMTs Grown on Bulk GaN Substrates
%A Tapajna, M.
%A Killat, N.
%A Moereke, J.
%A Paskova, T.
%A Evans, K. R.
%A Leach, J.
%A Li, X.
%A Ozgur, Ü
%A Morkoc, H.
%A Chabak, K. D.
%A Crespo, A.
%A Gillespie, J. K.
%A Fitch, R.
%A Kossler, M.
%A Walker, D. E.
%A Trejo, M.
%A Via, G. D.
%A Blevins, J. D.
%A Kuball, M.
%I IEEE
%@ 0741-3106
%@ 1558-0563
%K Gallium nitride
%K HEMTs
%K MODFETs
%K Degradation
%K Logic gates
%K Aluminum gallium nitride
%K Substrates
%K reliability
%K AlGaN/GaN HEMT
%K bulk GaN
%K electrical stress
%K electroluminescence (EL)
%D 2012
%C IEEE
%U http://slubdd.de/katalog?TN_libero_mab2
Download citation