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  2. Heidelberger, Gero [VerfasserIn]

    Untersuchung von"high-k" Materialien als alternative Dielektrika für AlGaN/GaN-basierte Metall-Isolator-Halbleiter-Heterostruktur-Feldeffekt-Transistoren (MISHFET) = Investigation of "high-k" materials as alternative dielectrics for AlGaN/GaN-based metal-insulator-semiconductor heterostructure field effect transistors (MISHFET)

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  4. Wolter, Mike Jean [VerfasserIn]

    Einfluss der Schichteigenschaften auf das elektrische und optoelektrische Verhalten von AlGaN/GaN HEMT-Transistoren

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  7. Franke, Jörg [VerfasserIn] ; Lutz, Josef [AkademischeR BetreuerIn]; Lutz, Josef [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Reimann, Tobias [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Zuverlässigkeit von AlGaN/GaN-Leistungsbauelementen

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    Chemnitz: Technische Universität Chemnitz, 2023

  8. Böcker, Jan [VerfasserIn] ; Dieckerhoff, Sibylle [AkademischeR BetreuerIn]; Kaminski, Nando [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Würfl, Joachim [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Analyse und Optimierung von AlGaN/GaN-HEMTs in der leistungselektronischen Anwendung

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    Berlin: Universitätsverlag der TU Berlin, 2020

    Erschienen in: Elektrische Energietechnik an der TU Berlin ; 11

  9. Calzolaro, Anthony [VerfasserIn] ; Mikolajick, Thomas [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Dadgar, Armin [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistors for High Power Applications

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    Dresden: Technische Universität Dresden, 2022

  10. Besendörfer, Sven [VerfasserIn] ; Erlbacher, Tobias [AkademischeR BetreuerIn]; Erlbacher, Tobias [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Weigel, Robert [Sonstige Person, Familie und Körperschaft] FAU University Press ein Imprint der Universität Erlangen-Nürnberg Universitätsbibliothek

    Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften

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    Erlangen: FAU University Press, 2022

    Erschienen in: FAU Forschungen, Reihe B, Medizin, Naturwissenschaft, Technik ; 41

  11. Bauer, Maris [VerfasserIn] ; Roskos, Hartmut [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Krozer, Viktor [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Haring Bolívar, Peter [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Hydrodynamic modeling and experimental characterization of the plasmonic and thermoelectric terahertz response of field-effect transistors with integrated broadband antennas in AlGaN/GaN HEMTs and CVD-grown graphene

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    Frankfurt am Main: Universitätsbibliothek Johann Christian Senckenberg, 2018

  12. Javorka, P. [VerfasserIn]; Alam, A. [VerfasserIn]; Wolter, M. [VerfasserIn]; Fox, P. T. [VerfasserIn]; Marso, M. [VerfasserIn]; Heuken, M. [VerfasserIn]; Lüth, H. [VerfasserIn]; Kordos, P. [VerfasserIn]

    AlGaN/GaN HEMTs on (111) silicon substrates

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    IEEE, 2002

    Erschienen in: IEEE Electron Device Letters 23, 4 - 6 (2002). doi:10.1109/55.974794

  13. Greenlee, Jordan D. [VerfasserIn]; Specht, Petra [VerfasserIn]; Anderson, Travis J. [VerfasserIn]; Koehler, Andrew D. [VerfasserIn]; Weaver, Bradley D. [VerfasserIn]; Luysberg, Martina [VerfasserIn]; Dubon, Oscar D. [VerfasserIn]; Kub, Francis J. [VerfasserIn]; Weatherford, Todd R. [VerfasserIn]; Hobart, Karl D. [VerfasserIn]

    Degradation mechanisms of 2 MeV proton irradiated AlGaN/GaN HEMTs

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    American Inst. of Physics, 2015

    Erschienen in: Applied physics letters 107(8), 083504 - (2015). doi:10.1063/1.4929583

  15. Nguyen, Thi Dak Ha [VerfasserIn]

    Realization and characterization of AlGaN/GaN HEMTs on silicon for high voltage applications. ; Réalisation et caractérisation de HEMTs AlGaN/GaN sur silicium pour applications à haute tension

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    [Erscheinungsort nicht ermittelbar]: HAL CCSD, 2013

  16. Kühn, Jutta [VerfasserIn]

    AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications

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    [Erscheinungsort nicht ermittelbar]: KIT Scientific Publishing, 2011

    Erschienen in: Karlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik

  17. Lazar, Oana [VerfasserIn]

    Analysis and modeling of gate degradation mechanisms of AlGaN/GAN high electron mobility transistors (HEMTs) ; Analyse et modélisation des mécanismes de dégradation de grille des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) de type AlGaN/GaN

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    [Erscheinungsort nicht ermittelbar]: HAL CCSD, 2018

  18. Besendörfer, Sven [VerfasserIn] ; Erlbacher, Tobias [AkademischeR BetreuerIn]; Erlbacher, Tobias [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Weigel, Robert [Sonstige Person, Familie und Körperschaft] FAU University Press ein Imprint der Universität Erlangen-Nürnberg Universitätsbibliothek

    Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften

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    Erlangen: FAU University Press, 2022

    Erschienen in: FAU Forschungen, Reihe B, Medizin, Naturwissenschaft, Technik ; 41

  20. Kuzmik, J. [VerfasserIn]; Javorka, P. [VerfasserIn]; Alam, A. [VerfasserIn]; Marso, M. [VerfasserIn]; Heuken, M. [VerfasserIn]; Kordos, P. [VerfasserIn]

    Determination of channel temperature in AlGaN/GaN HEMTs grown on sapphire and silicon substrates using DC characterization method

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    Forschungszentrum Jülich: JuSER (Juelich Shared Electronic Resources), 2002

    Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices 49, 1496 - 1498 (2002). doi:10.1109/TED.2002.801430