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  1. Hoffmann, Marc Patrick [VerfasserIn] ; Kneissl, Michael [AkademischeR BetreuerIn]; Lehmann, Michael [AkademischeR BetreuerIn]; Sitar, Zlatko [AkademischeR BetreuerIn]

    Polarity control and doping in aluminum gallium nitride

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    Berlin: Technische Universität Berlin, 2013

  2. Kamata, N. [VerfasserIn]; Klausing, H. [VerfasserIn]; Fedler, F. [VerfasserIn]; Mistele, D. [VerfasserIn]; Aderhold, J. [VerfasserIn]; Semchinova, O.K. [VerfasserIn]; Graul, J. [VerfasserIn]; Someya, T. [VerfasserIn]; Arakawa, Y. [VerfasserIn]

    Effect of modulation-doping on luminescence properties of plasma assisted MBE-grown GaN/AIGaN quantum well - [published Version]

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    Cambridge : Cambridge University Press, 2004

    Erschienen in: EPJ Applied Physics 27 (2004)

  3. Tao, Jonathan Huai-Tse [VerfasserIn]

    Synthesis and characterization of visible emission from rare-earth doped aluminum nitride, gallium nitride and gallium aluminum nitride powders and thin films

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    [Erscheinungsort nicht ermittelbar]: eScholarship, University of California, 2010

  4. Miwa, Kazuki; Komatsu, Yuto; Toguchi, Masachika; Horikiri, Fumimasa; Fukuhara, Noboru; Narita, Yoshinobu; Ichikawa, Osamu; Isono, Ryota; Tanaka, Takeshi; Sato, Taketomo

    Self-termination of contactless photo-electrochemical (PEC) etching on aluminum gallium nitride/gallium nitride heterostructures

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    IOP Publishing, 2020

    Erschienen in: Applied Physics Express

  5. Kaplar, Robert J.; Allerman, Andrew A.; Armstrong, Andrew M.; Crawford, Mary H.; Pickrell, Greg W.; Dickerson, Jeramy R.; Flicker, Jack D.; King, Michael P.; Cross, Karen C.; Glaser, Caleb E.; Van Heukelom, Michael; Baca, Albert G.; Reza, Shahed; Klein, Brianna; Douglas, Erica A.

    (Invited) Ultra-Wide-Bandgap Aluminum Gallium Nitride Power Switching Devices

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    The Electrochemical Society, 2017

    Erschienen in: ECS Meeting Abstracts