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  1. Hoffmann, Marc Patrick [VerfasserIn] ; Kneissl, Michael [AkademischeR BetreuerIn]; Lehmann, Michael [AkademischeR BetreuerIn]; Sitar, Zlatko [AkademischeR BetreuerIn]

    Polarity control and doping in aluminum gallium nitride

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    Berlin: Technische Universität Berlin, 2013

  2. Verzellesi, Giovanni [HerausgeberIn]; Verzellesi, Giovanni [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications, Volume II

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    Basel: MDPI - Multidisciplinary Digital Publishing Institute, 2022

  3. Liu, Cheng; Yang, Shu; Liu, Shenghou; Tang, Zhikai; Wang, Hanxing; Jiang, Qimeng; Chen, Kevin J.

    Correction to “Thermally Stable Enhancement-Mode GaN Metal-Isolator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor With Partially Recessed Fluorine-Implanted Barrier” [Apr 15 318-320]

    Aufsätze
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    IEEE Electron Device Letters , 6 / 2015