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  4. Strang, Benjamin Simon [VerfasserIn]

    Fabrication and characterization of gallium nitride based high electron mobility transistors for mm-wave applications = Herstellung und Charakterisierung von Gallium-Nitrid-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren für mm-Wellen-Anwendungen

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    Aachen: Hochschulbibliothek der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen, 2012

  6. Danylyuk, Serhiy [VerfasserIn]

    Design and development of radiation-resistant and low-noise semiconductor transistors for applications in high frequency communication systems

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    Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag, 2005

    Erschienen in: Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag, Berichte des Forschungszentrums Jülich 4165, 99 S. (2005). = Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2004

  7. Pribahsnik, Florian Peter [VerfasserIn] ; Lindemann, Florian Peter [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Gallium Nitride (GaN) specific mechanical phenomena and their influence on reliability in power HEMT operation

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    Magdeburg: Universitätsbibliothek Otto-von-Guericke-Universität, 2022

  9. Basler, Michael [VerfasserIn] ; Ambacher, Oliver [AkademischeR BetreuerIn] Albert-Ludwigs-Universität Freiburg Fakultät für Angewandte Wissenschaften

    Extended monolithic integration levels for highly functional GaN power ICs

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    Freiburg: Universität, 2023

  10. Herfurth, Patrick [VerfasserIn]

    Thin body InAlN/GaN HEMT technology on sapphire: special focus on high-temperature and electrochemical applications

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    Ulm: Universität Ulm. Fakultät für Ingenieurwissenschaften und Informatik, 2016

  11. Dennler, Philippe [VerfasserIn] ; Ambacher, Oliver [AkademischeR BetreuerIn]

    Analysis of the potential of gallium nitride based monolithic power amplifiers in the microwave domain with more than an octave bandwidth = Untersuchung des Potenzials von Galliumnitrid-basierten monolithisch integrierten Leistungsverstärkern im Mikrowellenbereich mit mehr als einer Oktave Bandbreite

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    Freiburg: Universität, 2015

  16. Cwiklinski, Maciej [VerfasserIn] ; Quay, Rüdiger [MitwirkendeR]; Kissinger, Dietmar [MitwirkendeR]

    Design of millimeter-wave power amplifiers in gallium nitride high-electron-mobility transistor technology

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    University of Freiburg: FreiDok, 2022

  20. Pribahsnik, Florian Peter [VerfasserIn] ; Lindemann, Andreas [AkademischeR BetreuerIn]

    Gallium Nitride (GaN) specific mechanical phenomena and their influence on reliability in power HEMT operation

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    Magdeburg: Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, 2022

    Erschienen in: Res electricae Magdeburgenses ; 89