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Baliga, B. Jayant [VerfasserIn]

Gallium nitride and silicon carbide power devices

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New Jersey; London; Singapore; Beijing; Shanghai; Hong Kong; Taipei; Chennai; Tokyo: World Scientific, [2017]
Medjdoub, Farid [HerausgeberIn]; Iniewski, Krzysztof [HerausgeberIn]

Gallium Nitride (GaN) : physics, devices, and technology

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Boca Raton; London; New York: CRC Press, Taylor & Francis Group, [2016]

Erschienen in: Devices, circuits, and systems- Engineering - electrical
Ehrentraut, Dirk [HerausgeberIn]; Meissner, Elke [HerausgeberIn]; Bockowski, Michal [HerausgeberIn]

Technology of gallium nitride crystal growth

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Berlin; Heidelberg: Springer, 2010

Erschienen in: Springer series in materials science ; 133
Pearton, Stephen J. [VerfasserIn]; Abernathy, Cammy R. [VerfasserIn]; Ren, Fan [VerfasserIn]

Gallium nitride processing for electronics, sensors and spintronics

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London [u.a.]: Springer, 2006

Erschienen in: Engineering materials and processes
Nakamura, Shuji [HerausgeberIn]; Chichibu, Shigefusa F. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

Introduction to nitride semiconductor blue lasers and light emitting diodes

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London [u.a.]: Taylor & Francis, 2000
O'Donnell, Kevin Peter [HerausgeberIn]; O'Donnell, Kevin [HerausgeberIn]

Rare-earth doped III-nitrides for optoelectronic and spintronic applications

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Dordrecht; Heidelberg [u.a.]: Springer, 2010

Erschienen in: Topics in applied physics ; 124
Kuball, Martin [Sonstige Person, Familie und Körperschaft] ; Symposium GaN, Aln, InN and Related Materials 2005 Boston, Mass

GaN, AlN, InN and related materials : symposium held November 28 - December 2, 2005, Boston, Massachusetts, U.S.A. ; [Symposium FF... held ... at the 2005 MRS fall meeting]

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Warrendale, Pa.: Materials Research Society, 2006

Erschienen in: Materials Research Society: Materials Research Society symposium proceedings ; 89200
Deppner, Marcus [VerfasserIn]

Design of nanorod-LEDS using computational modelling - [1. ed.]

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Konstanz: Hartung-Gorre, 2013

Erschienen in: Series in microelectronics ; 220
Quay, Rüdiger [VerfasserIn]

Gallium nitride electronics

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Berlin; Heidelberg: Springer, 2008

Erschienen in: Springer series in materials science ; 96
Hentschel, Rico [VerfasserIn] ; Mikolajick, Thomas [AkademischeR BetreuerIn]; Burghartz, Joachim [AkademischeR BetreuerIn] Technische Universität Dresden

Vertical gallium nitride power devices: fabrication and characterisation

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Dresden, 29.07.2020

Erschienen in: Research at namlab
Winzer, Annett [VerfasserIn] ; Technische Universität Dresden

High-k dielectrics for gallium nitride based electronic devices

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2016
Brackmann, Stefan [VerfasserIn] ; Kowalsky, Wolfgang [AkademischeR BetreuerIn]; Waag, Andreas [AkademischeR BetreuerIn]; Grahn, Holger [AkademischeR BetreuerIn] Technische Universität Braunschweig

The effects and application of phosphonic passivation on gallium nitride using a continuous series of modifiers

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Braunschweig, [2023]
Pribahsnik, Florian Peter [VerfasserIn] ; Lindemann, Andreas [AkademischeR BetreuerIn]

Gallium Nitride (GaN) specific mechanical phenomena and their influence on reliability in power HEMT operation - [1. Auflage]

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Magdeburg: Otto-von-Guericke-Universität, 2022

Erschienen in: Res electricae Magdeburgenses ; 89
Hofmann, Patrick [VerfasserIn] ; Technische Universität Dresden

Hydride vapour phase epitaxy growth, crystal properties and dopant incorporation in gallium nitride

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Norderstedt: BoD - Books on Demand, [2018]

Erschienen in: Research at namlab
Rahman, SK. Shaid-Ur [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Leute, Robert Anton Richard [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Wang, Junjun [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Meisch, Tobias [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Klein, Martin [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Scholz, Ferdinand [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Koyama, Koji [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Ishii, Miho [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Takeda, Hidetoshi [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

LEDs on HVPE grown GaN substrates: influence of macroscopic surface features

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Ulm: Universität Ulm, Fakultät für Ingenieurwissenschaften und Informatik, 2014
Pribahsnik, Florian Peter [VerfasserIn] ; Lindemann, Florian Peter [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

Gallium Nitride (GaN) specific mechanical phenomena and their influence on reliability in power HEMT operation

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https://d-nb.info/1256835811/34

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Magdeburg: Universitätsbibliothek Otto-von-Guericke-Universität, 2022
Lükens, Gerrit [VerfasserIn] ; Vescan, Andrei [AkademischeR BetreuerIn]; Lemme, Max Christian [AkademischeR BetreuerIn]

Normally-off transistor topologies in gallium nitride technology

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https://d-nb.info/1215171552/34

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Aachen: Universitätsbibliothek der RWTH Aachen, 2020
Strang, Benjamin Simon [VerfasserIn]

Fabrication and characterization of gallium nitride based high electron mobility transistors for mm-wave applications = Herstellung und Charakterisierung von Gallium-Nitrid-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren für mm-Wellen-Anwendungen

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https://d-nb.info/1021514772/34

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Aachen: Hochschulbibliothek der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen, 2012
Brackmann, Stefan [VerfasserIn] ; Kowalsky, Wolfgang [AkademischeR BetreuerIn]; Waag, Andreas [AkademischeR BetreuerIn]; Grahn, Holger [AkademischeR BetreuerIn]

Effects and Application of Phosphonic Passivation on Gallium Nitride Using a Continuous Series of Modifiers

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https://d-nb.info/1310005133/34

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Braunschweig: Technische Universität Braunschweig, 2023
Gil, B. [MitwirkendeR]

III-nitride semiconductors and their modern devices

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Oxford: Oxford University Press, 2013

Erschienen in: Series on semiconductor science and technology ; 18

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