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  1. Lashkov, Ilia A. [VerfasserIn] ; Leo, Karl [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Mannsfeld, Stefan [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    A Novel Approach for Doped Organic Transistors and Heterostructure Devices

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    Dresden: Technische Universität Dresden, 2022

  2. Javorka, P. [VerfasserIn]; Alam, A. [VerfasserIn]; Wolter, M. [VerfasserIn]; Fox, P. T. [VerfasserIn]; Marso, M. [VerfasserIn]; Heuken, M. [VerfasserIn]; Lüth, H. [VerfasserIn]; Kordos, P. [VerfasserIn]

    AlGaN/GaN HEMTs on (111) silicon substrates

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    IEEE, 2002

    Erschienen in: IEEE Electron Device Letters 23, 4 - 6 (2002). doi:10.1109/55.974794

  3. Marso, M. [VerfasserIn]; Fox, A. [VerfasserIn]; Heidelberger, G. [VerfasserIn]; Kordos, P. [VerfasserIn]; Lueth, H. [VerfasserIn]

    Comparison of AlGaN/GaN MSM Varactor Diodes Based on HFET and MOSHFET Layer Structures

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    IEEE, 2006

    Erschienen in: IEEE Electron Device Letters 27, 945 - 947 (2006). doi:10.1109/LED.2006.886705

  4. Thiede, Andreas [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Tasker, Paul [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Hülsmann, Axel [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Köhler, Klaus [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Bronner, Wolfgang [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Schlechtweg, Michael [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Berroth, Manfred [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Braunstein, Jürgen [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Nowotny, Ulrich [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    28-51 GHz dynamic frequency divider based on 0.15 micrometer T-gate Al 0.2 Ga 0.8 As/In 0.25 Ga 0.75 As MODFETs

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    1993 ; Online-Ausg.: Stuttgart: Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart, 2014

  5. Salmer, G.; Zimmermann, J.; Fauquembergue, R.

    Modeling of MODFETs

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1988

    Erschienen in: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

  6. Burm, Jinwook; Schaff, William J.; Martin, Glenn H.; Eastman, Lester F.; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu

    Recessed gate GaN MODFETs

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    Elsevier BV, 1997

    Erschienen in: Solid-State Electronics

  7. Eastman, L.; Burm, J.; Schaff, W.; Murphy, M.; Chu, K.; Amano, H.; Akasaki, I.

    Research on GaN MODFET's

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    Springer Science and Business Media LLC, 1996

    Erschienen in: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research

  8. Morkoc, H.

    MODFETs soar to 400 GHz

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1991

    Erschienen in: IEEE Circuits and Devices Magazine