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  1. Weimer, Christoph [Verfasser:in] ; Schröter, Michael [Akademische:r Betreuer:in] ; Suligoj, Tomislav [Akademische:r Betreuer:in] ; Technische Universität Dresden [Grad-verleihende Institution] ; Vogt Verlag [Verlag]

    Characterization, analysis, and modeling of dynamic radio-frequency large-signal operating limits, and long-term reliability and degradation of Silicon-Germanium heterojunction bipolar transistors

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    Dresden: Jörg Vogt Verlag, 2025

    Erschienen in: Beiträge aus der Elektrotechnik
  2. Peng, Boli [Verfasser:in] ; Schröter, Michael [Akademische:r Betreuer:in] ; Carta, Corrado [Akademische:r Betreuer:in] ; Technische Universität Dresden [Grad-verleihende Institution]

    Design and analysis of high-frequency benchmark circuits in 130 nm bipolar complementary metal-oxide-semiconductor silicon-germanium and 130 nm indium-phosphide heterojunction bipolar transistors

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    Dresden, 28.04.2026

  3. Schüffny, Franz Marcus [Verfasser:in] ; Mayr, Christian Georg [Akademische:r Betreuer:in] ; Constandinou, Timothy [Akademische:r Betreuer:in] ; Technische Universität Dresden [Grad-verleihende Institution]

    Highly integrated recording circuits for neural implants

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    Dresden, 13.03.2026

  4. Bäumler, Christian [Verfasser:in] ; Technische Universität Chemnitz [Grad-verleihende Institution] ; Universitätsverlag Chemnitz [Verlag]

    Impact of package degradation on short-circuit robustness and temperature stability during application-close repetitive switching of IGBTs

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    Chemnitz: Universitätsverlag Chemnitz, 2026

  5. Yu, Cheng [Verfasser:in] ; Erbe, Artur [Akademische:r Betreuer:in] ; Fischer, Inga Anita [Akademische:r Betreuer:in] ; Technische Universität Dresden [Grad-verleihende Institution]

    Superconducting group-IV semiconductor fabricated via Ionimplantation

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    Dresden, 14.03.2026

  6. Donnhäuser, Shabnam [Verfasser:in] ; Mannsfeld, Stefan [Akademische:r Betreuer:in] ; Klös, Alexander [Akademische:r Betreuer:in] ; Blawid, Stefan [Akademische:r Betreuer:in] ; Technische Universität Dresden [Grad-verleihende Institution]

    Advanced modeling and characterization of organic crystalline transistors for enhanced and consistent performance

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    Dresden: TUDpress, 2024

  7. Jin, Xiaodi [Verfasser:in] ; Schröter, Michael [Akademische:r Betreuer:in] ; Minnich, Austin J. [Akademische:r Betreuer:in] ; Technische Universität Dresden [Grad-verleihende Institution]

    Characterization and Compact Modeling of Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors from Room to Cryogenic Temperatures

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    Dresden, 15.04.2024

  8. Drescher, Maximilian [Verfasser:in] ; Bartha, Johann W. [Akademische:r Betreuer:in] ; Wilde, Lutz [Akademische:r Betreuer:in] ; Technische Universität Dresden [Grad-verleihende Institution]

    The role of defect states in the gate stack for device reliability in 28 nm High-K metal gate technology = Der Einfluss von Defektzuständen auf die Transistorzuverlässigkeit in der 28 nm High-K Metal gate Technologie

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    Dresden, 2023

  14. Hain, Stefan [Verfasser:in] ; Bakran, Mark-Matthias [Akademische:r Betreuer:in] ; Eckel, Hans-Günter [Akademische:r Betreuer:in] ; Universität Bayreuth [Grad-verleihende Institution] ; Verlag Dr. Hut, München [Verlag]

    Leistungsfähigkeit und Kurzschlussschutz von spätentsättigenden Micro-Pattern-Trench-IGBTs - [1. Auflage]

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    München: Verlag Dr. Hut, 2018

  19. Lizama Arcos, Ignacio Esteban [Verfasser:in] ; Bernet, Steffen [Akademische:r Betreuer:in] ; Bernet, Steffen [Sonstige Person, Familie und Körperschaft] ; Reimann, Tobias [Sonstige Person, Familie und Körperschaft] ; Technische Universität Dresden [Grad-verleihende Institution]

    New gate drive unit concepts for IGBTs and reverse conducting IGBTs

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    Dresden, 2017

  20. Rosenbaum, Tommy [Verfasser:in] ; Aniel, Frédéric [Akademische:r Betreuer:in] ; Danneville, François [Akademische:r Betreuer:in] ; Université de Bordeaux [Grad-verleihende Institution] ; Technische Universität Dresden, Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik [Grad-verleihende Institution]

    Performance prediction of a future silicon-germanium heterojunction bipolar transistor technology using a heterogeneous set of simulation tools and approaches - [1. Auflage]

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    Norderstedt: BoD-Books on Demand, [2017]

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