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  1. Hosch, Michael [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Behtash, Reza [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Thorpe, James R. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Held, Stefanie [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Blanck, Hervé [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Riepe, Klaus J. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Schumacher, Hermann [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    The impact of layout and technology on the DC and RF performance of AlGaN/GaN HFETs

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    Ulm: Universität Ulm. Fakultät für Ingenieurwissenschaften und Informatik, 2009

  9. Brazzini, Tommaso; Casbon, Michael A.; Uren, Michael J.; Tasker, Paul J.; Jung, Helmut; Blanck, Herve; Kuball, Martin

    Hot-Electron Electroluminescence Under RF Operation in GaN-HEMTs: A Comparison Among Operational Classes

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2017

    Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices

  10. Axelsson, Olle; Gustafsson, Sebastian; Hjelmgren, Hans; Rorsman, Niklas; Blanck, Herve; Splettstoesser, Jorg; Thorpe, Jim; Roedle, Thomas; Thorsell, Mattias

    Application Relevant Evaluation of Trapping Effects in AlGaN/GaN HEMTs With Fe-Doped Buffer

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2016

    Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices

  12. Brazzini, Tommaso; Casbon, Michael A.; Sun, Huarui; Uren, Michael J.; Lees, Jonathan; Tasker, Paul J.; Jung, Helmut; Blanck, Hervé; Kuball, Martin

    Electroluminescence of hot electrons in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors under radio frequency operation

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    AIP Publishing, 2015

    Erschienen in: Applied Physics Letters

  13. Zhan, Gao; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Fornasier, Mirko; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Blanck, Hervé; Grünenpütt, Jan; Sommer, Daniel; Chen, Ding Yuan; Wen, Kai-Hsin; Chen, Jr-Tai; Zanoni, Enrico

    Transconductance Overshoot, a New Trap-Related Effect in AlGaN/GaN HEMTs

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2023

    Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices

  14. Chen, Ding-Yuan; Persson, Axel R; Wen, Kai-Hsin; Sommer, Daniel; Grünenpütt, Jan; Blanck, Hervé; Thorsell, Mattias; Kordina, Olof; Darakchieva, Vanya; Persson, Per O Å; Chen, Jr-Tai; Rorsman, Niklas

    Impact of in situ NH3 pre-treatment of LPCVD SiN passivation on GaN HEMT performance

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    IOP Publishing, 2022

    Erschienen in: Semiconductor Science and Technology

  15. Rzin, Mehdi; Meneghini, Matteo; Rampazzo, Fabiana; Zhan, Veronica Gao; Marcon, Daniele; Grunenputt, Jan; Jung, Helmut; Lambert, Benoit; Riepe, Klaus; Blanck, Herve; Graff, Andreas; Altmann, Frank; Simon-Najasek, Michel; Poppitz, David; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico

    On-Wafer Fast Evaluation of Failure Mechanism of 0.25-μm AlGaN/GaN HEMTs: Evidence of Sidewall Indiffusion

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2020

    Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices

  16. Blanck, Hervé; Thorpe, James R.; Behtash, Reza; Splettstößer, Jörg; Brückner, Peter; Heckmann, Sylvain; Jung, Helmut; Riepe, Klaus; Bourgeois, Franck; Hosch, Michael; Köhn, Dominik; Stieglauer, Hermann; Floriot, Didier; Lambert, Benoît; Favede, Laurent; Ouarch, Zineb; Camiade, Marc

    Industrial GaN FET technology

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    Cambridge University Press (CUP), 2010

    Erschienen in: International Journal of Microwave and Wireless Technologies

  17. Ferrie, J.; Shipley, M.; Cappuccio, F.; Brunner, E.; Miller, M.; Kumari, M.; Marmot, M.; Coenen, A.; Castillo, J. L.; Araya, F.; Bustamante, G.; Montecino, L.; Torres, C.; Oporto, S.; Gronli, J.; Fiske, E.; Murison, R.; Bjorvatn, B.; Sorensen, E.; Ursin, R.; Portas, C. M.; Rajaraman, S.; Gribok, A.; Wesensten, N.; [...]

    Poster abstracts

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    Springer Science and Business Media LLC, 2007

    Erschienen in: Sleep and Biological Rhythms