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  1. Schumpp, Florian [Verfasser:in]; Furtmayr, Felix [Verfasser:in] ; Fraunhofer-Institut für Produktionstechnik und Automatisierung, Rapidfacture GmbH

    Schlussbericht zum Vorhaben: „Tp1Click“ – Drehteile in Losgröße 1 auf einen Klick : Industrie 4.0-Testumgebungen – Mobilisierung von KMU für Industrie 4.0 : Laufzeit: 01.07.2018 – 30.06.2019

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    [Pfaffenhofen a.d.Ilm]: [Rapidfacture GmbH], [2019?]

  5. Röppischer, Marcus; Goldhahn, Rüdiger; Buchheim, Carsten; Furtmayr, Florian; Wassner, Thomas; Eickhoff, Martin; Cobet, Christoph; Esser, Norbert

    Analysis of polarization‐dependent photoreflectance studies for c ‐plane GaN films grown on a ‐plane sapphire

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    Wiley, 2009

    Erschienen in: physica status solidi (a), 206 (2009) 5, Seite 773-779

  8. Mata, Maria de la; Zhou, Xiang; Furtmayr, Florian; Teubert, Jörg; Gradečak, Silvija; Eickhoff, Martin; Fontcuberta i Morral, Anna; Arbiol, Jordi

    A review of MBE grown 0D, 1D and 2D quantum structures in a nanowire

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    Royal Society of Chemistry (RSC), 2013

    Erschienen in: Journal of Materials Chemistry C, 1 (2013) 28, Seite 4300

  9. Schuster, Fabian; Furtmayr, Florian; Zamani, Reza; Magén, Cesar; Morante, Joan R.; Arbiol, Jordi; Garrido, Jose A.; Stutzmann, Martin

    Self-Assembled GaN Nanowires on Diamond

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    American Chemical Society (ACS), 2012

    Erschienen in: Nano Letters, 12 (2012) 5, Seite 2199-2204

  10. Kirmse, Holm; Häusler, Ines; Neumann, Wolfgang; Komninou, Philomela; Kehagias, Thomas; Dimitrakopulos, George P.; Karakostas, Theodoros; Furtmayr, Florian; Eickhoff, Martin

    TEM-based electron energy-loss spectroscopy of (In,Ga)N/GaN heterostructure nanowires: influence of strain and composition

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    International Union of Crystallography (IUCr), 2010

    Erschienen in: Acta Crystallographica Section A Foundations of Crystallography, 66 (2010) a1, Seite s169-s170

  11. Furtmayr, Florian; Vielemeyer, Martin; Stutzmann, Martin; Arbiol, Jordi; Estradé, Sònia; Peirò, Francesca; Morante, Joan Ramon; Eickhoff, Martin

    Nucleation and growth of GaN nanorods on Si (111) surfaces by plasma-assisted molecular beam epitaxy - The influence of Si- and Mg-doping

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    AIP Publishing, 2008

    Erschienen in: Journal of Applied Physics, 104 (2008) 3

  12. Arbiol, Jordi; Magen, Cesar; Becker, Pascal; Jacopin, Gwénolé; Chernikov, Alexey; Schäfer, Sören; Furtmayr, Florian; Tchernycheva, Maria; Rigutti, Lorenzo; Teubert, Jörg; Chatterjee, Sangam; Morante, Joan R.; Eickhoff, Martin

    Self-assembled GaN quantum wires on GaN/AlN nanowire templates

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    Royal Society of Chemistry (RSC), 2012

    Erschienen in: Nanoscale, 4 (2012) 23, Seite 7517

  13. Furtmayr, Florian; Teubert, Jörg; Becker, Pascal; Conesa-Boj, Sonia; Morante, Joan Ramon; Chernikov, Alexey; Schäfer, Sören; Chatterjee, Sangam; Arbiol, Jordi; Eickhoff, Martin

    Carrier confinement in GaN/AlxGa1−xN nanowire heterostructures (0x≤1)

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    American Physical Society (APS), 2011

    Erschienen in: Physical Review B, 84 (2011) 20

  14. de la Mata, Maria; Magen, Cesar; Gazquez, Jaume; Utama, Muhammad Iqbal Bakti; Heiss, Martin; Lopatin, Sergei; Furtmayr, Florian; Fernández-Rojas, Carlos J.; Peng, Bo; Morante, Joan Ramon; Rurali, Riccardo; Eickhoff, Martin; Fontcuberta i Morral, Anna; Xiong, Qihua; Arbiol, Jordi

    Polarity Assignment in ZnTe, GaAs, ZnO, and GaN-AlN Nanowires from Direct Dumbbell Analysis

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    American Chemical Society (ACS), 2012

    Erschienen in: Nano Letters, 12 (2012) 5, Seite 2579-2586

  15. Arbiol, Jordi; Estradé, Sònia; Prades, Joan D; Cirera, Albert; Furtmayr, Florian; Stark, Christoph; Laufer, Andreas; Stutzmann, Martin; Eickhoff, Martin; Gass, Mhairi H; Bleloch, Andrew L; Peiró, Francesca; Morante, Joan R

    Triple-twin domains in Mg doped GaN wurtzite nanowires: structural and electronic properties of this zinc-blende-like stacking

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    IOP Publishing, 2009

    Erschienen in: Nanotechnology, 20 (2009) 14, Seite 145704