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  1. Dudley, Michael; Wang, Huanhuan; Wu, Fangzhen; Yang, Yu; Guo, Jianqiu; Chung, Gil; Zhang, Jie; Thomas, Berndt; Sanchez, Edward K; Mueller, Stephan; Hansen, Darren; Loboda, Mark

    Studies of Relaxation Processes and Basal Plane Dislocations in CVD Grown Homoepitaxial Layers of 4H-SiC

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    The Electrochemical Society, 2014

    Erschienen in: ECS Meeting Abstracts

  2. Dudley, Michael; Raghothamachar, Balaji; Wang, Huanhuan; Wu, Fangzhen; Byrappa, Shayan; Chung, Gil; Sanchez, Edward K; Mueller, Stephan; Hansen, Darren; Loboda, Mark

    Synchrotron X-Ray Topography Studies of the Evolution of the Defect Microstructure in Physical Vapor Transport Grown 4H-SiC Single Crystals

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    The Electrochemical Society, 2013

    Erschienen in: ECS Meeting Abstracts

  3. Dudley, Michael; Wang, Huanhuan; Wu, Fangzhen; Yang, Yu; Guo, Jianqiu; Zhang, Jie; Thomas, Berndt; Sanchez, Edward K; Mueller, Stephan; Hansen, Darren; Loboda, Mark

    Stacking Fault Formation during Homo-Epitaxy of 4H-SiC

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    The Electrochemical Society, 2014

    Erschienen in: ECS Meeting Abstracts

  4. Wu, Fangzhen; Wang, Huanhuan; Raghothamachar, Balaji; Dudley, Michael; Mueller, Stephan G.; Chung, Gil; Sanchez, Edward K.; Hansen, Darren; Loboda, Mark J.; Zhang, Lihua; Su, Dong; Kisslinger, Kim; Stach, Eric

    A method to determine fault vectors in 4H-SiC from stacking sequences observed on high resolution transmission electron microscopy images

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    AIP Publishing, 2014

    Erschienen in: Journal of Applied Physics