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  1. Wolter, Stefan [Verfasser:in]; Spende, Hendrik [Verfasser:in]; Gülink, Jan [Verfasser:in]; Hartmann, Jana [Verfasser:in]; Wehmann, Hergo-Heinrich [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]; Lex, Andreas [Verfasser:in]; Avramescu, Adrian [Verfasser:in]; Lugauer, Hans-Jürgen [Verfasser:in]; Malm, Norwin von [Verfasser:in]; Drolet, Jean-Jacques [Verfasser:in]; Strassburg, Martin [Verfasser:in]

    Size-Dependent Electroluminescence and Current-Voltage Measurements of Blue InGaN/GaN µLEDs down to the Submicron Scale - [Online-Ausgabe]

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    Basel: MDPI, 2021

    Erschienen in: Nanomaterials ; 2021, 11(4), 836; https://doi.org/10.3390/nano11040836

  2. Steib, Frederik [Verfasser:in]; Remmele, Thilo [Verfasser:in]; Gülink, Jan [Verfasser:in]; Fündling, Sönke [Verfasser:in]; Behres, Alexander [Verfasser:in]; Wehmann, Hergo-Heinrich [Verfasser:in]; Albrecht, Martin [Verfasser:in]; Straßburg, Martin [Verfasser:in]; Lugauer, Hans-Jürgen [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]

    Defect generation by nitrogen during pulsed sputter deposition of GaN

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    [S.l.]: AIP Publishing, 2018

  3. Hartmann, Jana [Verfasser:in]; Steib, Frederik [Verfasser:in]; Zhou, Hao [Verfasser:in]; Ledig, Johannes [Verfasser:in]; Fündling, Sönke [Verfasser:in]; Albrecht, Friederike [Verfasser:in]; Schimpke, Tilman [Verfasser:in]; Avramescu, Adrian [Verfasser:in]; Vargehese, Tansen [Verfasser:in]; Wehmann, Hergo-Heinrich [Verfasser:in]; Strassburg, Martin [Verfasser:in]; Lugauer, Hans-Jürgen [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]

    High Aspect Ratio GaN Fin Microstructures with Nonpolar Sidewalls by Continuous Mode Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

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    [erscheinungsort nicht ermittelbar]: ACS Publications, 2016

  4. Hartmann, Jana [Verfasser:in]; Manglano Clavero, Irene [Verfasser:in]; Nicolai, Lars [Verfasser:in]; Margenfeld, Christoph [Verfasser:in]; Spende, Hendrik [Verfasser:in]; Ledig, Johannes [Verfasser:in]; Zhou, Hao [Verfasser:in]; Steib, Frederik [Verfasser:in]; Jaros, Angelina [Verfasser:in]; Avramescu, Adrian [Verfasser:in]; Strassburg, Martin [Verfasser:in]; Trampert, Achim [Verfasser:in]; Wehmann, Hergo-Heinrich [Verfasser:in]; Lugauer, Hans-Jürgen [Verfasser:in]; Voss, Tobias [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]

    3D GaN Fins as a Versatile Platform for a-Plane-Based Devices

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    [Hoboken, New Jersey]: Wiley, 2018

  5. Hartmann, Jana [Verfasser:in]; Steib, Frederik [Verfasser:in]; Zhou, Hao [Verfasser:in]; Ledig, Johannes [Verfasser:in]; Nicolai, Lars [Verfasser:in]; Fündling, Sönke [Verfasser:in]; Schimpke, Tilman [Verfasser:in]; Avramescu, Adrian [Verfasser:in]; Vargehese, Tansen [Verfasser:in]; Trampert, Achim [Verfasser:in]; Strassburg, Martin [Verfasser:in]; Lugauer, Hans-Jürgen [Verfasser:in]; Wehmann, Hergo-Heinrich [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]

    Study of 3D-growth conditions for selective area MOVPE of high aspect ratio GaN fins with non-polar vertical sidewalls

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    [Amsterdam]: Elsevier, 2017

  6. Krieg, Linus [Verfasser:in]; Meierhofer, Florian [Verfasser:in]; Gorny, Sascha [Verfasser:in]; Leis, Stefan [Verfasser:in]; Splith, Daniel [Verfasser:in]; Zhang, Zhipeng [Verfasser:in]; von Wenckstern, Holger [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]; Wang, Xiaoxue [Verfasser:in]; Hartmann, Jana [Verfasser:in]; Margenfeld, Christoph [Verfasser:in]; Manglano Clavero, Irene [Verfasser:in]; Avramescu, Adrian [Verfasser:in]; Schimpke, Tilman [Verfasser:in]; Scholz, Dominik [Verfasser:in]; Lugauer, Hans-Jürgen [Verfasser:in]; Strassburg, Martin [Verfasser:in]; Jungclaus, Jörgen [Verfasser:in]; Bornemann, Steffen [Verfasser:in]; Spende, Hendrik [Verfasser:in]; Waag, Andreas [Verfasser:in]; Gleason, Karen K. [Verfasser:in]; Voss, Tobias [Verfasser:in]

    Toward three-dimensional hybrid inorganic/organic optoelectronics based on GaN/oCVD-PEDOT structures - [Online-Ausgabe]

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    [Berlin]: Springer, 2020

    Erschienen in: Nature communications ; 11, Article number: 5092 (2020), DOI 10.1038/s41467-020-18914-7

  8. Koch, Holger; Niebling, Tobias; Pietzonka, Ines; Scholz, Dominik; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei; Lugauer, Hans-Jürgen

    Advanced thin-film chip concepts for efficient InGaN solar cells : Advanced thin-film chip concepts for efficient InGaN solar cells

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    Wiley, 2015

    Erschienen in: physica status solidi (a), 212 (2015) 9, Seite 2053-2058

  10. Frankerl, Christian; Nippert, Felix; Hoffmann, Marc Patrick; Brandl, Christian; Lugauer, Hans-Jürgen; Zeisel, Roland; Hoffmann, Axel; Davies, Matthew John

    Carrier Dynamics in Al‐Rich AlGaN/AlN Quantum Well Structures Governed by Carrier Localization

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    Wiley, 2020

    Erschienen in: physica status solidi (b), 257 (2020) 12

  11. Nirschl, Anna; Binder, Michael; Schmid, Marina; Pietzonka, Ines; Lugauer, Hans-Jürgen; Zeisel, Roland; Sabathil, Matthias; Bougeard, Dominique; Galler, Bastian

    Towards quantification of the crucial impact of auger recombination for the efficiency droop in (AlInGa)N quantum well structures

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    The Optical Society, 2016

    Erschienen in: Optics Express, 24 (2016) 3, Seite 2971

  12. Wang, Xue; Li, Shunfeng; Fündling, Sönke; Wehmann, Hergo-H; Strassburg, Martin; Lugauer, Hans-Jürgen; Steegmüller, Ulrich; Waag, Andreas

    Mechanism of nucleation and growth of catalyst-free self-organized GaN columns by MOVPE

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    IOP Publishing, 2013

    Erschienen in: Journal of Physics D: Applied Physics, 46 (2013) 20, Seite 205101

  13. Jacopin, Gwénolé; Frankerl, Christian; Tillner, Nadine; Davies, Matthew John; Rossbach, Georg; Brandl, Christian; Hoffmann, Marc Patrick; Zeisel, Roland; Hoffmann, Axel; Lugauer, Hans-Jürgen

    Influence of the Growth Substrate on the Internal Quantum Efficiency of AlGaN/AlN Multiple Quantum Wells Governed by Carrier Localization

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    Wiley, 2021

    Erschienen in: physica status solidi (b), 258 (2021) 4

  14. Wolter, Stefan; Spende, Hendrik; Gülink, Jan; Hartmann, Jana; Wehmann, Hergo-Heinrich; Waag, Andreas; Lex, Andreas; Avramescu, Adrian; Lugauer, Hans-Jürgen; Malm, Norwin von; Drolet, Jean-Jacques; Strassburg, Martin

    Size-Dependent Electroluminescence and Current-Voltage Measurements of Blue InGaN/GaN µLEDs down to the Submicron Scale

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    MDPI AG, 2021

    Erschienen in: Nanomaterials, 11 (2021) 4, Seite 836

  15. Hagedorn, Sylvia; Walde, Sebastian; Susilo, Norman; Netzel, Carsten; Tillner, Nadine; Unger, Ralph-Stephan; Manley, Phillip; Ziffer, Eviathar; Wernicke, Tim; Becker, Christiane; Lugauer, Hans-Jürgen; Kneissl, Michael; Weyers, Markus

    Improving AlN Crystal Quality and Strain Management on Nanopatterned Sapphire Substrates by High‐Temperature Annealing for UVC Light‐Emitting Diodes

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    Wiley, 2020

    Erschienen in: physica status solidi (a), 217 (2020) 7

  16. Frankerl, Christian; Nippert, Felix; Gomez-Iglesias, Alvaro; Hoffmann, Marc Patrick; Brandl, Christian; Lugauer, Hans-Jürgen; Zeisel, Roland; Hoffmann, Axel; Davies, Matthew John

    Origin of carrier localization in AlGaN-based quantum well structures and implications for efficiency droop

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    AIP Publishing, 2020

    Erschienen in: Applied Physics Letters, 117 (2020) 10

  17. Tillner, Nadine; Frankerl, Christian; Nippert, Felix; Davies, Matthew J.; Brandl, Christian; Lösing, Rainer; Mandl, Martin; Lugauer, Hans-Jürgen; Zeisel, Roland; Hoffmann, Axel; Waag, Andreas; Hoffmann, Marc Patrick

    Point Defect‐Induced UV‐C Absorption in Aluminum Nitride Epitaxial Layers Grown on Sapphire Substrates by Metal‐Organic Chemical Vapor Deposition

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    Wiley, 2020

    Erschienen in: physica status solidi (b), 257 (2020) 12

  18. Frankerl, Christian; Nippert, Felix; Hoffmann, Marc Patrick; Wang, Heng; Brandl, Christian; Lugauer, Hans-Jürgen; Zeisel, Roland; Hoffmann, Axel; Davies, Matthew John

    Strongly localized carriers in Al-rich AlGaN/AlN single quantum wells grown on sapphire substrates

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    AIP Publishing, 2020

    Erschienen in: Journal of Applied Physics, 127 (2020) 9

  19. Frankerl, Christian; Hoffmann, Marc P.; Nippert, Felix; Wang, Heng; Brandl, Christian; Tillner, Nadine; Lugauer, Hans-Jürgen; Zeisel, Roland; Hoffmann, Axel; Davies, Matthew J.

    Challenges for reliable internal quantum efficiency determination in AlGaN-based multi-quantum-well structures posed by carrier transport effects and morphology issues

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    AIP Publishing, 2019

    Erschienen in: Journal of Applied Physics, 126 (2019) 7