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  1. Bonč-Bruevič, Viktor Leopolʹdovič [VerfasserIn] ; Knox, Robert E. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    The electronic theory of heavily doped semiconductors

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    New York: American Elsevier Publ., 1966

  2. Kastner, Marc A. [HerausgeberIn]; Fritzsche, Hellmut [GefeierteR]; Thomas, Gordon A. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Ovshinsky, Stanford R. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Disordered semiconductors : [to Hellmut Fritzsche in honor ... on the occasion of his 60. birthday]

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    New York, NY [u.a.]: Plenum Press, 1987

    Erschienen in: Institute for Amorphous Studies series

  3. Tsuda, Takuya [VerfasserIn] ; Fery, Andreas [AkademischeR BetreuerIn]; Zschech, Ehrenfried [AkademischeR BetreuerIn] Technische Universität Dresden

    New dopable semiconducting polymer materials enabling novel device architecture

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    Dresden, 2021

  4. Albrecht, Fanny [VerfasserIn]

    Elektrische Charakterisierung von Störstellen in den III-V-Halbleitern GaAs und GaN mittels Radiotracer-Spektroskopie

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  5. Langer, Julia [VerfasserIn] ; Ambacher, Oliver [AkademischeR BetreuerIn]; Ambacher, Oliver [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Fiederle, Michael [Sonstige Person, Familie und Körperschaft] Albert-Ludwigs-Universität Freiburg Institut für Nachhaltige Technische Systeme, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg Fakultät für Angewandte Wissenschaften

    Quantum-grade diamond for cavity-based solutions

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    Freiburg: Universität, 2022

  6. Fiedler, Jan [VerfasserIn] ; Gobsch, Gerhard [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Helm, Manfred [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Elektrische und strukturelle Eigenschaften von supraleitenden Schichten in Gallium-implantiertem Silizium und Germanium

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    2013

  7. Terheiden, Barbara [MitwirkendeR]; Steffens, Jonathan [MitwirkendeR]; Rinder, Johannes [MitwirkendeR]; Weit, Swetlana [MitwirkendeR]; Wünsch, Frank [MitwirkendeR]; Nicholson, Nathan [MitwirkendeR]; Wolyniec, Anna [MitwirkendeR] ; Universität Konstanz

    Thema: Schwerpunkt passivierende CVD-Dotierschichten und optisch transparentere Poly-Si-Schicht : Schlussbericht der Universität Konstanz (öffentlich) : Thema des Verbunds: Kombination von passivierten p+/p und n+/n Übergängen mit CVD-basierten Dotierquellen für p-Typ und n-Typ Siliziumsolarzellen : Laufzeit: 01.05.2016 – 31.10.2019 (42 Monate) : Berichtzeitraum: 01.05.2016-31.10.2019

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    [Konstanz]: Universität Konstanz, April 2020

  8. Seren, Sven [VerfasserIn] ; Gebr. Schmid Maschinenfabrik GmbH & Co

    Kombination von passivierten p+/p und n+/n Übergängen mit CVD-basierten Dotierquellen für p-Typ und n-Typ Siliziumsolarzellen : Abschlussbericht : Akronym/Kurzbeschreibung: KOMPASS : Projektzeitraum: 01.05.2016-31.10.2019

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    Freudenstadt: Gebr. Schmid GmbH, [2019?]

  9. Merkle, Agnes [VerfasserIn]; Peibst, Robby [VerfasserIn] ; Institut für Solarenergieforschung Hameln

    Kombination von passivierten p+/p und n+/n Übergängen mit CVD-basierten Dotierquellen für p-Typ und n-Typ Siliziumsolarzellen : Abschlussbericht zum BMWi-geförderten Projekt : Teilvorhaben des ISFH : Kurzbezeichnung: KOMPASS : Projektlaufzeit: 01.05.2016-31.10.2019

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    Emmerthal: [Institut für Solarenergieforschung GmbH Hameln/Emmerthal (ISFH)], [2019?]