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  1. Kirschman, Randall K. [HerausgeberIn]

    High-temperature electronics

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    Piscataway, NY: IEEE Press, c 1999

  2. Grella, Katharina [VerfasserIn] ; Vogt, Holger [AkademischeR BetreuerIn]; Hilleringmann, Ulrich [AkademischeR BetreuerIn]

    Zuverlässigkeit von CMOS-Bauelementen auf SOI für den Betrieb bei 250 °C

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    Duisburg; Essen: Universitätsbibliothek Duisburg-Essen, 2013

  3. Herfurth, Patrick [VerfasserIn]

    Thin body InAlN/GaN HEMT technology on sapphire: special focus on high-temperature and electrochemical applications

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    Ulm: Universität Ulm. Fakultät für Ingenieurwissenschaften und Informatik, 2016