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  2. Pearton, Stephen J. [VerfasserIn] ; Abernathy, Cammy R. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Ren, Fan [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Gallium Nitride Processing for Electronics, Sensors and Spintronics

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    London: Springer London, 2006

    Erschienen in: Engineering Materials and Processes- SpringerLink ; Bücher

  12. Abernathy, Cammy R.; Overberg, Mark J.; Mackenzie, John D.; Hoemmerich, Uwe; Pearton, Stephen J.; Wilson, R. G.; Zavada, John M.

    Effect of impurity concentration on 1.54 um emission from GaN:Er

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    SPIE, 2000

    Erschienen in: SPIE Proceedings

  15. Overberg, Mark; Abernathy, Cammy R.; MacKenzie, J.Devin; Pearton, Stephen J.; Wilson, Robert G.; Zavada, John M.

    Effect of carbon doping on GaN:Er

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    Elsevier BV, 2001

    Erschienen in: Materials Science and Engineering: B

  19. Ren, Fan; Abernathy, Cammy R.; Van Hove, J. M.; Chow, P. P.; Hickman, R.; Klaasen, JJ; Kopf, R. F.; Cho, Hyun; Jung, K. B.; La Roche, J. R.; Wilson, R. G.; Han, J.; Shul, R. J.; Baca, A. G.; Pearton, S.J.

    300°C GaN/AlGaN Heterojunction Bipolar Transistor

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    Springer Science and Business Media LLC, 1998

    Erschienen in: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research