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Strang, Benjamin Simon [VerfasserIn]Fabrication and characterization of gallium nitride based high electron mobility transistors for mm-wave applications = Herstellung und Charakterisierung von Gallium-Nitrid-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren für mm-Wellen-AnwendungenOnline ansehenSchließen
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Sie können Bookmarks mittels Listen verwalten, loggen Sie sich dafür bitte in Ihr SLUB Benutzerkonto ein.Aachen: Hochschulbibliothek der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen, 2012
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Holloway, Aisha S.; Ferguson, Jennifer; Landale, Sarah; Cariola, Laura; Newbury-Birch, Dorothy; Flynn, Amy; Knight, John R.; Sherritt, Lon; Harris, Sion K.; O’Donnell, Amy J.; Kaner, Eileen; Hanratty, Barbara; Loree, Amy M.; Yonkers, Kimberly A.; Ondersma, Steven J.; Gilstead-Hayden, Kate; Martino, Steve; Adam, Angeline; Schwartz, Robert P.; Wu, Li-Tzy; Subramaniam, Geetha; Sharma, Gaurav; McNeely, Jennifer; Berman, Anne H.; [...]Proceedings of the 14th annual conference of INEBRIA : New York, NY, USA, September 14–15, 2017 : New York, NY, USA, September 14–15, 2017Online ansehenSchließen
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Erschienen in: Addiction Science & Clinical Practice