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Willardson, Robert K. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

Physics of III-V compounds

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New York, NY [u.a.]: Acad. Press, 1966

Erschienen in: Semiconductors and semimetals ; 1
Bahrami, Danial [VerfasserIn]

Electrical and structural characterization of single III-V semiconductor nanowires

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Siegen, 2020
Ahrenkiel, Richard K. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

Semiconductors and semimetals / 39, Minority carriers in III-V semiconductors : physics and applications / vol. eds: Richard K. Ahrenkiel

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1993

Erschienen in: Semiconductors and semimetals ; 39
Noyes Data Corporation Park Ridge, NJ

Chemical technology review

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Park Ridge, NJ: Noyes Data Corp., 1973- / Nr. 1.1973 -
Willardson, Robert K. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Beer, Albert C. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

Optical properties of III-V compounds

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New York, NY [u.a.]: Acad. Press, 1967

Erschienen in: Semiconductors and semimetals ; 3
Piprek, Joachim [HerausgeberIn]

Nitride semiconductor devices : principles and simulation

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Weinheim: WILEY-VCH, 2007
Ichizli, Victoria [VerfasserIn]

Charakterisierung von Nanometerstrukturen mit III-V-Halbleitern = (Characterisation of nanometer structures on III-V-semiconductor materials) - [Als Ms. gedr.]

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Aachen: Shaker, 1999

Erschienen in: Berichte aus der Elektrotechnik
Hintz, Adrian [VerfasserIn]

Simulation und Modellierung des nicht-stationären Elektronentransports in III-V Verbindungshalbleitern

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1990
Schütz, Reiner [VerfasserIn]

Über das Wachstum von InP im plasmaunterstützten MBE-Prozeß - [Als Ms. gedr.]

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Düsseldorf: VDI-Verl., 1990

Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 105
Kukimoto, H. [HerausgeberIn]

Semi-insulating III - V materials : Hakone 1986

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Tokyo: Ohmsha [u.a.], 1986
Middelmann, Heinz-Udo [VerfasserIn]

Untersuchung der elektronischen Bandstruktur von Halbleitern mittels Photoemission

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1987
Freyhardt, Herbert C. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

III-V semiconductors

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Berlin [u.a.]: Springer, 1980

Erschienen in: Crystals ; 1980,,3
Knoch, Joachim [VerfasserIn]

Nanoelectronics : device physics, fabrication, simulation

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Berlin; Boston: De Gruyter, [2021]

Erschienen in: De Gruyter graduate
Shakfa, Mohammad Khaled [VerfasserIn] ; Technische Universität Braunschweig, Eric Cuvillier Firma

Localization effects in disordered III-V semiconductor nanostructures - [1. Auflage]

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Göttingen: Cuvillier Verlag, [2015]
Ruterana, Pierre [HerausgeberIn]; Albrecht, Martin [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Neugebauer, Jörg [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

Nitride semiconductors : handbook on materials and devices - [1. ed.]

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Weinheim: Wiley-VCH, 2003
Kersting, Roland [VerfasserIn]

Zeitaufgelöste Lumineszenzspektroskopie zum ultraschnellen Ladungsträgertransport in Festkörpern

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1994
Beneking, Heinz [VerfasserIn]

Halbleiter-Technologie : eine Einführung in die Prozeßtechnik von Silizium und III-V-Verbindungen ; mit 30 Tabellen und einer mehrfarbigen Tafel des Periodensystems der Elemente

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Stuttgart: Teubner, 1991
Weber, Rolf [VerfasserIn]

Untersuchungen zur Diffusion von Zink in InP und InGaAs(P) sowie über InGaAs(P)-InP-Heteroübergänge

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1990
Malik, Roger J. [HerausgeberIn]

III-V semiconductor materials and devices

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Amsterdam; Oxford: North-Holland, 1989

Erschienen in: Materials processing, theory and practices ; 7
Oertel, Detlef [VerfasserIn]

Einfluß von Grenzflächenrauhigkeit, Ordnungseffekten und Dotierungen auf die optischen Eigenschaften von InP-basierten MOCVD-Heterostrukturen

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1987

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