author = { Blumberg, Christian Tegude, Franz-Josef },

title = { Polaritäts- und ortskontrollierte Nitrid-Epitaxie von Nanodrähten zur technologischen Herstellung von Lichtemittern auf Si-Substraten },

publisher = {Universität Duisburg-Essen},

keywords = { Lumineszenzdiode , MOCVD-Verfahren , Galliumnitrid , Nitride , Heterostruktur , Indiumnitrid , Kristallstruktur , epitaxy , nanowire , LED , light-emitter , nanowire-LED , polarity , MOVPE , MOCVD , SAE , III/V , gallium nitride , nitride , growth , silicon , nanotechnology , technology , VLC , visible light communication , Li-Fi , light fidelity },

year = {2023},

address = { Duisburg },

url = { http://slubdd.de/katalog?TN_libero_mab2 }