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Generic
%T
Herstellung und Charakterisierung von GaN-basierenden Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
%A Daumiller, Ingo Michael
%I Universität Ulm. Fakultät für Ingenieurwissenschaften
%K Galliumnitrid
%K Feldeffekttransistor
%K Heterostruktur-Bauelement
%K Aluminiumnitrid
%K HEMT
%K Hochtemperaturelektronik
%K Indiumnitrid
%K Leistungselektronik
%K (LCSH)Field-effect transistors
%K (LCSH)Gallium nitride
%K (LCSH)Heterostructures
%K Hochschulschrift
%D 2003
%C Universität Ulm. Fakultät für Ingenieurwissenschaften
%C Ulm
%U http://slubdd.de/katalog?TN_libero_mab2