%0 Generic
%T ˜Theœ appearance of vacancies during Cu and Zn diffusion in III-V compound semiconductors
%A Elsayed, Mohamed
%A Krause-Rehberg, R.
%A Stolwijk, Nicolaas A.
%A Leipner, H. S.
%I Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
%K Galliumarsenid (GaAs); Galliumnitrid (GaN); Ein-Diffusion; Aus-Diffusion; Leerstellen; Leerstellenkomplexe; Dotierung; Positronenannihilationsspektoskopie
%K Gallium Arsenide (GaAs); Gallium Nitrid (GaN); in-diffusion; out-diffusion; vacancies; vacancy-complexes; doping; positron annihilation spectroscopy
%K Hochschulschrift
%D 2011
%C Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
%C Halle, Saale
%U http://slubdd.de/katalog?TN_libero_mab2
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