Skip to contents Weiß, Matthias [Author] Leistungscharakteristik und Sättigungsmechanismen von TEGFETs und MESFETs Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Düsseldorf: VDI-Verl., 1988 Published in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 78 Honkanen, Katri Eliisa [Author] A GaAs-based photoreceiver consisting of a submicron metal-semiconductor-metal photodetector and high electron mobiblity transistor Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. 2002 Meschede, Herbert [Author] Hochfrequenzcharakterisierung von Mikrowellentransistoren aus III-V-Halbleitermaterial bei Temperaturen im Bereich von 20 K bis 300 K - [Als Ms. gedr.] Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Düsseldorf: VDI-Verl., 1993 Published in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschritt-Berichte VDI / 21 ; 144 Pearton, Stephen J. [Author]; Abernathy, Cammy R. [Author]; Ren, Fan [Author] Gallium nitride processing for electronics, sensors and spintronics Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. London [u.a.]: Springer, 2006 Published in: Engineering materials and processes Kleindienst, Thorsten [Author] 2D-Computersimulation von A1GaAs/InGaAs Hetrostruktur-Feldeffekttransistoren Microforms Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. 2000 ; Mikrofiche-Ausg. Kudszus, Steffen [Author] Monolithisch integrierte Millimeterwellen-Oszillatoren auf der Basis von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren - [Als Ms. gedr] Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Düsseldorf: VDI-Verl., 2001 Published in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 336 Berntgen, Jürgen [Author] Niederfrequentes Rauschen von In 0,53 Ga 0,47 As-Bulkmaterial und In x Ga 1-x As-Quantentopf-Strukturen : ein Beitrag zum Verständnis niederfrequenter Schwankungserscheinungen in modernen Heterostruktur-Feldeffekttransistoren - [Als Ms. gedr.] Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Aachen: Shaker, 2000 Published in: Berichte aus der Elektrotechnik Werkstetter, Mario [Author] Hocheffizienter DC/DC-Wandler auf Basis von GaN-Leistungsschaltern für Hochleistungs-Leuchtdioden im Kraftfahrzeug Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Chemnitz: Universitätsverlag Chemnitz, 2018 Quay, Rüdiger [Author] Gallium nitride electronics Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Berlin; Heidelberg: Springer, 2008 Published in: Springer series in materials science ; 96 Anholt, Robert Edward [Author] Electrical and thermal characterization of MESFETs, HEMTs, and HBTs Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Boston [u.a.]: Artech House, 1995 Published in: Artech House microwave library Ross, R. Lee [Editor] ; Advanced Study Institute on Pseudomorphic HEMT Technology and Applications 1994 Erice Pseudomorphic HEMT technology and applications ; [proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Pseudomorphic HEMT Technology and Applications Erice, Sicily, Italy, July 14-25, 1994] Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Dordrecht; London [u.a.]: Kluwer Academic, 1996 Published in: NATO: NATO ASI series / E ; 309 Liu, William [Author] Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. New York; Weinheim [u.a.]: Wiley, c 1999 Published in: A Wiley-Interscience publication Pribahsnik, Florian Peter [Author] ; Lindemann, Andreas [Degree supervisor] Gallium Nitride (GaN) specific mechanical phenomena and their influence on reliability in power HEMT operation - [1. Auflage] Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Magdeburg: Otto-von-Guericke-Universität, 2022 Published in: Res electricae Magdeburgenses ; 89 Ponse, Frederik [Author]; Berger, Otto [Author] ; Siemens Aktiengesellschaft Bereich Halbleiter, European Space Agency Final report on HEMT evaluation for space applications types CFY66 and CFY67 : evaluation and qualification on high electron mobility transistor (HEMT), phase I & II, according ESA/SCC basic Specification No. 2265010 and ESA/SCC Generic Specification No. 5010; ESA/SCC Detail Specification No. 5613/002, ESA/SCC Detail Specification No. 5613/004; ESTEC contract no. 9901/92/NL/NB(SC), DARA contract no. 50 IB 9304 Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Munich: Siemens AG, Semiconductor Group, 1993 Published in: European Space Agency contract report Malik, Adil Mahmood [Author] Technology and physics of gate recessed GaN AlGaN FETs Books View online Schließen > Access More information on the full text Show more show less Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. 2003 Heinz, Felix [Author]; Thome, Fabian [Author]; Leuther, Arnulf [Author]; Ambacher, Oliver [Author] A 50-nm gate-length metamorphic HEMT technology optimized for cryogenic ultra-low-noise operation Books View online Schließen > Access More information on the full text Full access (via DOI) Show more show less Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. New York: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021 Published in: IEEE transactions on microwave theory and techniques ; 69, 8 (2021), 3896-3907 Mehlhose, Sven [Author] Biofunctionalization of GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors Books View online Schließen > Access Full access (via DOI) Show more show less Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Heidelberg, 2019 Reiner, Richard [Author] Design and characterization of highly-efficient GaN-HEMTs for power applications Books View online Schließen > Access More information on the full text Show more show less Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Freiburg im Breisgau, November 2016 Ture, Erdin [Author] GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors Books View online Schließen > Access More information on the full text Show more show less Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Freiburg, December 2016 Neuburger, Martin [Author] Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur FETs für hohe Leistung Books View online Schließen > Access More information on the full text Show more show less Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. 2006
Weiß, Matthias [Author] Leistungscharakteristik und Sättigungsmechanismen von TEGFETs und MESFETs Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Düsseldorf: VDI-Verl., 1988 Published in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 78
Honkanen, Katri Eliisa [Author] A GaAs-based photoreceiver consisting of a submicron metal-semiconductor-metal photodetector and high electron mobiblity transistor Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. 2002
Meschede, Herbert [Author] Hochfrequenzcharakterisierung von Mikrowellentransistoren aus III-V-Halbleitermaterial bei Temperaturen im Bereich von 20 K bis 300 K - [Als Ms. gedr.] Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Düsseldorf: VDI-Verl., 1993 Published in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschritt-Berichte VDI / 21 ; 144
Pearton, Stephen J. [Author]; Abernathy, Cammy R. [Author]; Ren, Fan [Author] Gallium nitride processing for electronics, sensors and spintronics Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. London [u.a.]: Springer, 2006 Published in: Engineering materials and processes
Kleindienst, Thorsten [Author] 2D-Computersimulation von A1GaAs/InGaAs Hetrostruktur-Feldeffekttransistoren Microforms Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. 2000 ; Mikrofiche-Ausg.
Kudszus, Steffen [Author] Monolithisch integrierte Millimeterwellen-Oszillatoren auf der Basis von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren - [Als Ms. gedr] Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Düsseldorf: VDI-Verl., 2001 Published in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 336
Berntgen, Jürgen [Author] Niederfrequentes Rauschen von In 0,53 Ga 0,47 As-Bulkmaterial und In x Ga 1-x As-Quantentopf-Strukturen : ein Beitrag zum Verständnis niederfrequenter Schwankungserscheinungen in modernen Heterostruktur-Feldeffekttransistoren - [Als Ms. gedr.] Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Aachen: Shaker, 2000 Published in: Berichte aus der Elektrotechnik
Werkstetter, Mario [Author] Hocheffizienter DC/DC-Wandler auf Basis von GaN-Leistungsschaltern für Hochleistungs-Leuchtdioden im Kraftfahrzeug Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Chemnitz: Universitätsverlag Chemnitz, 2018
Quay, Rüdiger [Author] Gallium nitride electronics Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Berlin; Heidelberg: Springer, 2008 Published in: Springer series in materials science ; 96
Anholt, Robert Edward [Author] Electrical and thermal characterization of MESFETs, HEMTs, and HBTs Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Boston [u.a.]: Artech House, 1995 Published in: Artech House microwave library
Ross, R. Lee [Editor] ; Advanced Study Institute on Pseudomorphic HEMT Technology and Applications 1994 Erice Pseudomorphic HEMT technology and applications ; [proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Pseudomorphic HEMT Technology and Applications Erice, Sicily, Italy, July 14-25, 1994] Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Dordrecht; London [u.a.]: Kluwer Academic, 1996 Published in: NATO: NATO ASI series / E ; 309
Liu, William [Author] Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. New York; Weinheim [u.a.]: Wiley, c 1999 Published in: A Wiley-Interscience publication
Pribahsnik, Florian Peter [Author] ; Lindemann, Andreas [Degree supervisor] Gallium Nitride (GaN) specific mechanical phenomena and their influence on reliability in power HEMT operation - [1. Auflage] Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Magdeburg: Otto-von-Guericke-Universität, 2022 Published in: Res electricae Magdeburgenses ; 89
Ponse, Frederik [Author]; Berger, Otto [Author] ; Siemens Aktiengesellschaft Bereich Halbleiter, European Space Agency Final report on HEMT evaluation for space applications types CFY66 and CFY67 : evaluation and qualification on high electron mobility transistor (HEMT), phase I & II, according ESA/SCC basic Specification No. 2265010 and ESA/SCC Generic Specification No. 5010; ESA/SCC Detail Specification No. 5613/002, ESA/SCC Detail Specification No. 5613/004; ESTEC contract no. 9901/92/NL/NB(SC), DARA contract no. 50 IB 9304 Books Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Munich: Siemens AG, Semiconductor Group, 1993 Published in: European Space Agency contract report
Malik, Adil Mahmood [Author] Technology and physics of gate recessed GaN AlGaN FETs Books View online Schließen > Access More information on the full text Show more show less Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. 2003
Heinz, Felix [Author]; Thome, Fabian [Author]; Leuther, Arnulf [Author]; Ambacher, Oliver [Author] A 50-nm gate-length metamorphic HEMT technology optimized for cryogenic ultra-low-noise operation Books View online Schließen > Access More information on the full text Full access (via DOI) Show more show less Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. New York: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021 Published in: IEEE transactions on microwave theory and techniques ; 69, 8 (2021), 3896-3907
Mehlhose, Sven [Author] Biofunctionalization of GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors Books View online Schließen > Access Full access (via DOI) Show more show less Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Heidelberg, 2019
Reiner, Richard [Author] Design and characterization of highly-efficient GaN-HEMTs for power applications Books View online Schließen > Access More information on the full text Show more show less Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Freiburg im Breisgau, November 2016
Ture, Erdin [Author] GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors Books View online Schließen > Access More information on the full text Show more show less Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. Freiburg, December 2016
Neuburger, Martin [Author] Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur FETs für hohe Leistung Books View online Schließen > Access More information on the full text Show more show less Close > Bookmarks You can manage bookmarks using lists, please log in to your user account for this. 2006
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