Herstellung und Optimierung von Hetero-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in integrierten optischen Empfängern im Wellenlängenbereich von 1,3 bis 1,55 mym
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Medientyp:
Buch;
Hochschulschrift
Titel:
Herstellung und Optimierung von Hetero-Bipolar-Transistoren für den Einsatz in integrierten optischen Empfängern im Wellenlängenbereich von 1,3 bis 1,55 mym