Die Alterung bei n-Kanal MOS-Transistoren unter dem Einfluß hochenergetischer Ladungsträger : Der "Hot-Electron"-Effekt

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Medientyp: Buch; Hochschulschrift
Titel: Die Alterung bei n-Kanal MOS-Transistoren unter dem Einfluß hochenergetischer Ladungsträger : Der "Hot-Electron"-Effekt
Weitere Titel: Nebent.: Der "Hot-Electron"-Effekt
Beteiligte: Giebel, Thomas [VerfasserIn]
Erschienen: Düsseldorf: VDI-Verl., 1988
Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 81
Umfang: 115 S; graph. Darst
Sprache: Deutsch
ISBN: 3181481092
Schlagwörter: n-Kanal-FET > Alterung > Heißes Elektron
Entstehung:
Hochschulschrift: Zugl.: Dortmund, Univ., Diss.
Anmerkungen: Literaturverz. S. 110 - 115
Weitere Bestandsnachweise
0 : Fortschrittberichte VDI / 9

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