Indiumphosphid-Strukturen aus der metallorganischen Gasphasenepitaxie für optoelektronische Bauelemente

Medientyp: Buch; Hochschulschrift
Titel: Indiumphosphid-Strukturen aus der metallorganischen Gasphasenepitaxie für optoelektronische Bauelemente
Beteiligte: Zwinge, Johannes G. [Verfasser:in]
Erschienen: Düsseldorf: VDI-Verl., 1994
Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 176
Ausgabe: Als Ms. gedr.
Umfang: VI, 130 S.; graph. Darst
Sprache: Deutsch
ISBN: 3181476099
RVK-Notation: ZN 5030 : Optoelektronische Bauelemente
Schlagwörter: Optoelektronisches Bauelement > MOCVD-Verfahren > Indiumphosphid
Optoelektronisches Bauelement > MOCVD-Verfahren > Indiumphosphid
Entstehung:
Hochschulschrift: Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss.
Anmerkungen:
Weitere Bestandsnachweise
0 : Fortschrittberichte VDI / 9

Indiumphosphid-Strukturen aus der metallorganischen Gasphasenepitaxie für optoelektronische Bauelemente - [Als Ms. gedr.]