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Medientyp: Buch; Hochschulschrift Titel: Hochfrequenzcharakterisierung von Mikrowellentransistoren aus III-V-Halbleitermaterial bei Temperaturen im Bereich von 20 K bis 300 K Beteiligte: Meschede, Herbert [VerfasserIn] Erschienen: Düsseldorf: VDI-Verl., 1993 Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschritt-Berichte VDI / 21 ; 144 Ausgabe: Als Ms. gedr. Umfang: XVI, 180 S.; Ill., graph. Darst Sprache: Deutsch ISBN: 3181444219 RVK-Notation: ZN 4870 : Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren Schlagwörter: Mikrowellenmesstechnik > Tieftemperatur HEMT > Kleinsignalverhalten > Rauscheigenschaft Entstehung: Hochschulschrift: Zugl.: Duisburg, Univ.-Gesamthochsch., Diss. Anmerkungen: Literaturverz. S. 168 - 179 Weitere Bestandsnachweise 0 : Fortschritt-Berichte VDI / 21