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Sell, Bernhard [VerfasserIn] ; Krautschneider, Wolfgang [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Albrecht, Wolfgang [Sonstige Person, Familie und Körperschaft] Technische Universität Hamburg-Harburg Arbeitsbereich Elektrotechnik V, Mikroelektronik

Interface characterization of metal-gate MOS-structures and the application to DRAM-capacitors - [Elektronische Ressource]

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  • Medientyp: E-Book; Hochschulschrift
  • Titel: Interface characterization of metal-gate MOS-structures and the application to DRAM-capacitors
  • Beteiligte: Sell, Bernhard [VerfasserIn]; Krautschneider, Wolfgang [Doktorvater]; Albrecht, Wolfgang [Gutachter]
  • Körperschaft: Technische Universität Hamburg-Harburg, Arbeitsbereich Elektrotechnik V, Mikroelektronik
  • Erschienen: 2002
  • Ausgabe: [Elektronische Ressource]
  • Umfang: Online-Ressource (PDF-Datei: IV, 115 S., 5,3 MB, Text); Ill., graph. Darst
  • Sprache: Englisch
  • RVK-Notation: ZN 4960 : MOS-, MIS-Schaltungen (hier auch CTD-Schaltungen; Eimerkettenschaltungen; CMOS-Schaltungen...)
  • Schlagwörter: MOS > Dynamisches RAM
  • Entstehung:
  • Hochschulschrift: Hamburg-Harburg, Techn. Univ., Arbeitsbereich Mikroelektronik, Diss., 2002
  • Anmerkungen: Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
    Systemvoraussetzungen: Internet-Zugriff, Adobe Acrobat Reader
  • Beschreibung: The main result of this study is the development of a full analysis procedure for metal-gate MOS-structures that allows to identify problems during processing and to extract physical parameters of metal electrodes. With knowledge gained from this analysis a polysilicon/TiN-stack has been developed and successfully integrated as low-resistance electrode into state-of-the-art deep trench DRAM-capacitors. These electrodes will be required to fabricate sub-100 nm deep trench DRAMs.
  • Zugangsstatus: Freier Zugang