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Medientyp: E-Book; Hochschulschrift Titel: Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur FETs für hohe Leistung Beteiligte: Neuburger, Martin [VerfasserIn] Erschienen: 2006 Umfang: Online-Ressource Sprache: Deutsch Identifikator: Schlagwörter: Galliumnitrid ; Feldeffekttransistor ; HEMT ; Hochschulschrift Entstehung: Hochschulschrift: Ulm, Univ. Diss., 2006 Anmerkungen: Zugangsstatus: Freier Zugang