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Medientyp: Buch; Hochschulschrift Titel: Gate stack engineering for emerging polarization based non-volatile memories Beteiligte: Pešić, Milan Dragan [VerfasserIn] Körperschaft: Technische Universität Dresden Erschienen: Norderstedt: BoD Books on Demand, [2017] Erschienen in: Research at namlab Ausgabe: [1. Auflage] Umfang: XII, 137 Seiten; 72 Illustrationen; 21 cm x 14.8 cm, 229 g Sprache: Englisch ISBN: 9783744867887; 3744867889 RVK-Notation: ZN 3430 : Ferroelektrische Werkstoffe; Piezoelektrika ZN 5640 : Speicherschaltungen ST 175 : Speicher, Speicherverwaltung, (CD-ROM, optische Speicher, Pufferspeicher Magnetcassette Magnetplatte etc.) Schlagwörter: FRAM > Hafniumdioxid > High-k-Dielektrikum > Dynamisches RAM > Zirkoniumdioxid > Stapel > Schaltverhalten > Physikalischer Effekt > Antiferroelektrizität > Nichtflüchtiger Speicher Entstehung: Hochschulschrift: Dissertation, Technische Universität Dresden, 2017 Anmerkungen:
Zentralbibliothek – Magazin Signatur: 2017 8 022673 Barcode: 34515118 Status: Ausleihbar, bitte bestellen > Bestellen möglich - bitte anmelden
Bereichsbibliothek DrePunct – Magazin Signatur: 2017 8 022674 Barcode: 34515119 Status: Bestellen zur Benutzung im Haus, kein Versand per Fernleihe, nur Kopienlieferung > Bestellen möglich - bitte anmelden