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Strang, Benjamin Simon [VerfasserIn]

Fabrication and characterization of gallium nitride based high electron mobility transistors for mm-wave applications : = Herstellung und Charakterisierung von Gallium-Nitrid-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren für mm-Wellen-Anwendungen / Fabrication and characterization of gallium nitride based high electron mobility transistors for mm-wave applications, = Herstellung und Charakterisierung von Gallium-Nitrid-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren für mm-Wellen-Anwendungen

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  • Medientyp: E-Book; Hochschulschrift
  • Titel: Fabrication and characterization of gallium nitride based high electron mobility transistors for mm-wave applications
    Fabrication and characterization of gallium nitride based high electron mobility transistors for mm-wave applications, = Herstellung und Charakterisierung von Gallium-Nitrid-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren für mm-Wellen-Anwendungen
  • : Herstellung und Charakterisierung von Gallium-Nitrid-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren für mm-Wellen-Anwendungen
  • Beteiligte: Strang, Benjamin Simon [Verfasser]
  • Erschienen: Aachen: Hochschulbibliothek der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen, 2012
  • Weitere Titel:
  • Umfang: Online-Ressource
  • Sprache: Englisch
  • Identifikator:
  • Entstehung:
  • Schlagwörter: Gallium , Nitride , HEMT ; Hochschulschrift
  • Anmerkungen:
  • Zugangsstatus: Freier Zugang