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Medientyp: E-Artikel Titel: The interaction of stoichiometry, mechanical stress, and interface trap density in LPCVD Si-rich SiNx;Si structures Beteiligte: Witczak, Steven C.; Gaitan, Michael; Suehle, John S.; Peckerar, Martin C.; Ma, David I. Erschienen: Elsevier BV, 1994 Erschienen in: Solid-State Electronics, 37 (1994) 10, Seite 1695-1704 Sprache: Englisch DOI: 10.1016/0038-1101(94)90216-x ISSN: 0038-1101 Schlagwörter: Materials Chemistry ; Electrical and Electronic Engineering ; Condensed Matter Physics ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: