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  3. Bläsing, Jürgen P. [Herausgeber:in] ; Gesellschaft für Management und Technologie

    Failure mode and effects analysis : FMEA; Analyse potentieller Fehler und Folgen; Grundlagen und Anwendungen der FMEA in der Konstruktion und der Prozeßvorbereitung; Einführung in die PC-unterstützte FMEA; FMEA-Strategie - [2. erw. Aufl.]

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    München: GFMT-Ges.-für-Management-u.-Technologie-Verl., 1988

    Erschienen in: Praxisberichte Qualitätssicherung ; 202

  8. Lüttich, Christopher [Verfasser:in]; Hörich, Florian [Verfasser:in]; Bläsing, Jürgen [Verfasser:in]; Strittmatter, André [Verfasser:in]; Dadgar, Armin [Verfasser:in]

    HfN as conductive buffer for GaN epitaxy

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    2024

    Erschienen in: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; (2024), Artikel-ID HL 44.11

  9. Bruckmann, Christian [Verfasser:in]; Bläsing, Jürgen [Verfasser:in]; Dadgar, Armin [Verfasser:in]; Strittmatter, André [Verfasser:in]

    Local GaAs growth on patterned Si(001) surfaces by Laser-assisted MOVPE

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    2024

    Erschienen in: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; (2024), Artikel-ID O 17.2

  10. Bruckmann, Christian [Verfasser:in]; Bläsing, Jürgen [Verfasser:in]; Dadgar, Armin [Verfasser:in]; Strittmatter, André [Verfasser:in]

    Progress in local growth of III/V-semiconductor structures

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    2023

    Erschienen in: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; (2023), Artikel-ID O.32.1

  11. Dadgar, Armin [Verfasser:in]; Hörich, Florian [Verfasser:in]; Borgmann, Ralf [Verfasser:in]; Bläsing, Jürgen [Verfasser:in]; Schmidt, Gordon [Verfasser:in]; Veit, Peter [Verfasser:in]; Christen, Jürgen [Verfasser:in]; Strittmatter, André [Verfasser:in]

    Sputter epitaxy of AlN and GaN on Si(111)

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    2023

    Erschienen in: Physica status solidi. A, Applications and materials science ; 220(2023), 8, Artikel-ID 2200609

  12. Seneza, Cleophace [Verfasser:in]; Berger, Christoph [Verfasser:in]; Witte, Hartmut [Verfasser:in]; Bläsing, Jürgen [Verfasser:in]; Dempewolf, Anja [Verfasser:in]; Dadgar, Armin [Verfasser:in]; Christen, Jürgen [Verfasser:in]; Strittmatter, André [Verfasser:in]

    Highly reflective and conductive AlInN/GaN distributed Bragg reflectors realized by Ge-doping

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    2020

    Erschienen in: DPG-Frühjahrstagung ; 2020, Vortrag: HL 30.27

  13. Kluth, Elias [Verfasser:in]; Nagashima, Yo [Verfasser:in]; Osawa, Shohei [Verfasser:in]; Hirose, Yasushi [Verfasser:in]; Bläsing, Jürgen [Verfasser:in]; Strittmatter, André [Verfasser:in]; Goldhahn, Rüdiger [Verfasser:in]; Feneberg, Martin [Verfasser:in]

    Blue shift of the absorption onset and bandgap bowing in rutile GexSn1−xO2

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    2024

    Erschienen in: Applied physics letters ; 125(2024), 12, Artikel-ID 122102

  14. Hörich, Florian [Verfasser:in]; Bläsing, Jürgen [Verfasser:in]; Grümbel, Jona [Verfasser:in]; Feneberg, Martin [Verfasser:in]; Goldhahn, Rüdiger [Verfasser:in]; Dadgar, Armin [Verfasser:in]; Strittmatter, André [Verfasser:in]

    n-type doping of GaN via pulsed sputter epitaxy

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    2024

    Erschienen in: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; (2024), Artikel-ID HL 1.4

  15. Grümbel, Jona [Verfasser:in]; Lüttich, Christopher [Verfasser:in]; Bläsing, Jürgen [Verfasser:in]; Dadgar, Armin [Verfasser:in]; Feneberg, Martin [Verfasser:in]; Goldhahn, Rüdiger [Verfasser:in]

    Phases of sputtered HfxNy: XRD, Ellipsometry and Raman spectroscopy studies

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    2024

    Erschienen in: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; (2024), Artikel-ID HL 1.11

  16. Hörich, Florian [Verfasser:in]; Lüttich, Christopher [Verfasser:in]; Borgmann, Ralf [Verfasser:in]; Bläsing, Jürgen [Verfasser:in]; Strittmatter, André [Verfasser:in]; Dadgar, Armin [Verfasser:in]

    Growth of ScN and AlScN by reactive sputter epitaxy

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    2023

    Erschienen in: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; (2023), Artikel-ID HL 51.7

  17. Manjeshwar, Sushanth Kini [Verfasser:in]; Ciers, Anastasiia [Verfasser:in]; Hellman, Fia [Verfasser:in]; Bläsing, Jürgen [Verfasser:in]; Strittmatter, André [Verfasser:in]; Wieczorek, Witlef [Verfasser:in]

    High-Q trampoline resonators from strained crystalline InGaP for integrated free-space optomechanics

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    2023

    Erschienen in: Nano letters ; 23(2023), 11, Seite 5076-5082

  18. Kolhep, Maximilian [Verfasser:in]; Sun, Cheng [Verfasser:in]; Bläsing, Jürgen [Verfasser:in]; Christian, Björn P. [Verfasser:in]; Zacharias, Margit [Verfasser:in]

    Epitaxial growth of highly textured ZnO thin films on Si using an AlN buffer layer by atomic layer deposition

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    New York, NY: American Vacuum Society, 2021

    Erschienen in: Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films ; 39, 3 (2021), 032401

  19. Berger, Christoph [Verfasser:in]; Neugebauer, Silvio [Verfasser:in]; Seneza, Cleophace [Verfasser:in]; Witte, Hartmut [Verfasser:in]; Bläsing, Jürgen [Verfasser:in]; Dadgar, Armin [Verfasser:in]; Strittmatter, André [Verfasser:in]

    GaN:Ge as transparent conductive nitride contact layer for blue tunnel-junction LEDs

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    2020

    Erschienen in: DPG-Frühjahrstagung ; 2020, Vortrag: HL 8.3

  20. Grümbel, Jona [Verfasser:in]; Ning, Pingfan [Verfasser:in]; Bläsing, Jürgen [Verfasser:in]; Jeon, Dae-Woo [Verfasser:in]; Feneberg, Martin [Verfasser:in]; Goldhahn, Rüdiger [Verfasser:in]

    Raman-Spectroscopy of corundum-like α-Ga 2O 3 grown by HVPE

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    2020

    Erschienen in: DPG-Frühjahrstagung ; 2020, Vortrag: HL 72.2