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  1. Himcinschi, Cameliu Constantin [VerfasserIn] ; Heitmann, Johannes [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Alexe, Marin [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Geurts, Jean [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Raman spectroscopy: from ferroelastic domain identification to strain tuning

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    Freiberg: Technische Universität Bergakademie Freiberg, 2020

  2. Krause, Michael [VerfasserIn] ; Wehrspohn, Ralf B. [AkademischeR BetreuerIn]; Hanke, Michael [AkademischeR BetreuerIn]; Leipner, Hartmut S. [AkademischeR BetreuerIn]

    Ortsaufgelöste Bestimmung von Gitterverzerrungen in Silizium-Nanostrukturen mittels Elektronenrückstreubeugung

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    Halle, Saale: Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt, 2013

  3. Himcinschi, Cameliu Constantin [VerfasserIn] ; Heitmann, Johannes [GutachterIn]; Alexe, Marin [GutachterIn]; Geurts, Jean [GutachterIn] TU Bergakademie Freiberg

    Raman spectroscopy: from ferroelastic domain identification to strain tuning

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    [2020]

  4. Schriever, Clemens [VerfasserIn] ; Schilling, Jörg [AkademischeR BetreuerIn]; Seifert, Gerhard [AkademischeR BetreuerIn]; Eich, Manfred [AkademischeR BetreuerIn]

    Modifikation optischer Nichtlinearitäten in Silizium

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    Halle, Saale: Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt, 2013

  5. Feste, S. F. [VerfasserIn]; Schäpers, T. [VerfasserIn]; Buca, D. [VerfasserIn]; Zhao, Q. T. [VerfasserIn]; Knoch, J. [VerfasserIn]; Bouhassoune, M. [VerfasserIn]; Schindlmayr, A. [VerfasserIn]; Mantl, S. [VerfasserIn]

    Measurement of effective electron mass in biaxial tensile strained silicon on insulator

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    American Institute of Physics, 2009

    Erschienen in: Applied physics letters 95, 182101 (2009). doi:10.1063/1.3254330

  6. Houben, Lothar [VerfasserIn]

    CMOS - top down : silicon nanoelectronics, silicon optoelectronics, strained silicon

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    Forschungszentrum Jülich, Zentralbibliothek, Verlag, 2004

    Erschienen in: Jülich : Forschungszentrum Jülich, Zentralbibliothek, Verlag, Online Publikation (2004).

  7. Richter, Simon [VerfasserIn]

    Strained Silicon and Silicon-Germanium Nanowire Tunnel FETs and Inverters

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    Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag, 2014

    Erschienen in: Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag, Schriften des Forschungszentrums Jülich. Reihe Information / information 40, iii, 117 S. (2014). = Dissertation, RWTH Aachen, 2014

  8. Blaeser, Sebastian [VerfasserIn] ; Mantl, Siegfried [AkademischeR BetreuerIn]; Stampfer, Christoph [AkademischeR BetreuerIn]

    Strained Silicon-Germanium/Silicon Heterostructure Tunnel FETs for Low Power Applications

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    Aachen: Universitätsbibliothek der RWTH Aachen, 2016

    Erschienen in: Schriften des Forschungszentrums Jülich : Reihe Schlüsseltechnologien / Key Technologies ; Band / Volume 124

  9. Luong, Gia Vinh [VerfasserIn]; Strangio, S. [VerfasserIn]; Tiedemann, Andreas [VerfasserIn]; Bernardy, P. [VerfasserIn]; Trellenkamp, Stefan [VerfasserIn]; Palestri, P. [VerfasserIn]; Mantl, S. [VerfasserIn]; Zhao, Q. T. [VerfasserIn]

    Strained Silicon Complementary TFET SRAM: Experimental Demonstration and Simulations

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    IEEE, 2018

    Erschienen in: IEEE journal of the Electron Devices Society 6, 1033 - 1040 (2018). doi:10.1109/JEDS.2018.2825639

  10. Moers, Jürgen [VerfasserIn]; Gerharz, Julian [VerfasserIn]; Mussler, Gregor [VerfasserIn]; Grützmacher, Detlev [VerfasserIn]

    The d-DotFET: MOSFET based on locally strained silicon

    Konferenzberichte
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    Forschungszentrum Jülich: JuSER (Juelich Shared Electronic Resources), 2012

    Erschienen in: 9th International Conference on Advanced Semiconductors Devices and Microsystems ASDAM 2012, ASDAM 2012, Smolenice, Slovakia, 2012-11-11 - 2013-01-16

  11. Buca, D. [VerfasserIn]; Holländer, B. [VerfasserIn]; Trinkaus, H. [VerfasserIn]; Mantl, S. [VerfasserIn]; Carius, R. [VerfasserIn]; Loo, R. [VerfasserIn]; Caymax, M. [VerfasserIn]; Schaefer, H. [VerfasserIn]

    Tensely strained silicon on SiGe produced by strain transfer

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    American Institute of Physics, 2004

    Erschienen in: Applied physics letters 85, 2499 - 2501 (2004). doi:10.1063/1.1790593

  12. Blaeser, Sebastian [VerfasserIn]

    Strained Silicon-Germanium/Silicon Heterostructure Tunnel FETs for Low Power Applications

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    Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag, 2016

    Erschienen in: Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag, Schriften des Forschungszentrums Jülich. Reihe Schlüsseltechnologien / Key Technologies 124, IV, 91, XVII S. (2016). = RWTH Aachen, Diss., 2016

  13. Lanzerath, F. [VerfasserIn]; Buca, D. [VerfasserIn]; Trinkaus, H. [VerfasserIn]; Goryll, M. [VerfasserIn]; Mantl, S. [VerfasserIn]; Knoch, J. [VerfasserIn]; Breuer, U. [VerfasserIn]; Skorupa, W. [VerfasserIn]; Ghyselen, B. [VerfasserIn]

    Boron activation and diffusion in silicon and strained silicon-on-insulator by rapid thermal and flash lamp annealings

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    American Institute of Physics, 2008

    Erschienen in: Journal of applied physics 104, 044908 (2008). doi:10.1063/1.2968462

  14. Narimani, Keyvan [VerfasserIn]; Trellenkamp, Stefan [VerfasserIn]; Tiedemann, Andreas [VerfasserIn]; Mantl, Siegfried [VerfasserIn]; Zhao, Qing-Tai [VerfasserIn]

    Strained Silicon Single Nanowire Gate-All-Around TFETs with Optimized Tunneling Junctions

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    MDPI, 2018

    Erschienen in: Applied Sciences 8(5), 670 - (2018). doi:10.3390/app8050670