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Medientyp: Elektronischer Konferenzbericht Titel: The d-DotFET: MOSFET based on locally strained silicon Beteiligte: Moers, Jürgen [VerfasserIn]; Gerharz, Julian [VerfasserIn]; Mussler, Gregor [VerfasserIn]; Grützmacher, Detlev [VerfasserIn] Erschienen: Forschungszentrum Jülich: JuSER (Juelich Shared Electronic Resources), 2012 Erschienen in: 9th International Conference on Advanced Semiconductors Devices and Microsystems ASDAM 2012, ASDAM 2012, Smolenice, Slovakia, 2012-11-11 - 2013-01-16 Sprache: Englisch Entstehung: Anmerkungen: Diese Datenquelle enthält auch Bestandsnachweise, die nicht zu einem Volltext führen. Zugangsstatus: Freier Zugang