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  1. Schmid, Alexander [VerfasserIn] ; Heitmann, Johannes [AkademischeR BetreuerIn]; Heitmann, Johannes [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Mikolajick, Thomas [Sonstige Person, Familie und Körperschaft] Technische Universität Bergakademie Freiberg

    Untersuchungen zu Vanadium-basierten ohmschen Kontakten in AlGaN/GaN-MISHFETs

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    Freiberg: Technische Universität Bergakademie Freiberg, 2020

  2. Tierney, Brian D.; Choi, Sukwon; DasGupta, Sandeepan; Dickerson, Jeramy R.; Reza, Shahed; Kaplar, Robert J.; Baca, Albert G.; Marinella, Matthew J.

    Evaluation of a “Field Cage” for Electric Field Control in GaN-Based HEMTs That Extends the Scalability of Breakdown Into the kV Regime

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    IEEE Transactions on Electron Devices , 9 / 2017

  3. Puzyrev, Yevgeniy; Paccagnella, Alessandro; Pantelides, Sokrates T.; Mukherjee, Shubhajit; Chen, Jin; Roy, Tania; Silvestri, Marco; Schrimpf, Ronald D.; Fleetwood, Daniel M.; Singh, Jasprit; Hinckley, John M.

    Gate Bias Dependence of Defect-Mediated Hot-Carrier Degradation in GaN HEMTs

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    IEEE Transactions on Electron Devices , 5 / 2014

  4. Waller, William M.; Uren, Michael J.; Kean Boon Lee; Houston, Peter A.; Wallis, David J.; Guiney, Ivor; Humphreys, Colin J.; Pandey, Saurabh; Sonsky, Jan; Kuball, Martin

    Subthreshold Mobility in AlGaN/GaN HEMTs

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    IEEE Transactions on Electron Devices , 5 / 2016