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  3. Bläsing, Jürgen P. [HerausgeberIn] ; Gesellschaft für Management und Technologie

    Failure mode and effects analysis : FMEA; Analyse potentieller Fehler und Folgen; Grundlagen und Anwendungen der FMEA in der Konstruktion und der Prozeßvorbereitung; Einführung in die PC-unterstützte FMEA; FMEA-Strategie - [2. erw. Aufl.]

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    München: GFMT-Ges.-für-Management-u.-Technologie-Verl., 1988

    Erschienen in: Praxisberichte Qualitätssicherung ; 202

  8. Lüttich, Christopher [VerfasserIn]; Hörich, Florian [VerfasserIn]; Bläsing, Jürgen [VerfasserIn]; Strittmatter, André [VerfasserIn]; Dadgar, Armin [VerfasserIn]

    HfN as conductive buffer for GaN epitaxy

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    2024

    Erschienen in: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; (2024), Artikel-ID HL 44.11

  9. Bruckmann, Christian [VerfasserIn]; Bläsing, Jürgen [VerfasserIn]; Dadgar, Armin [VerfasserIn]; Strittmatter, André [VerfasserIn]

    Local GaAs growth on patterned Si(001) surfaces by Laser-assisted MOVPE

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    2024

    Erschienen in: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; (2024), Artikel-ID O 17.2

  10. Bruckmann, Christian [VerfasserIn]; Bläsing, Jürgen [VerfasserIn]; Dadgar, Armin [VerfasserIn]; Strittmatter, André [VerfasserIn]

    Progress in local growth of III/V-semiconductor structures

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    2023

    Erschienen in: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; (2023), Artikel-ID O.32.1

  11. Dadgar, Armin [VerfasserIn]; Hörich, Florian [VerfasserIn]; Borgmann, Ralf [VerfasserIn]; Bläsing, Jürgen [VerfasserIn]; Schmidt, Gordon [VerfasserIn]; Veit, Peter [VerfasserIn]; Christen, Jürgen [VerfasserIn]; Strittmatter, André [VerfasserIn]

    Sputter epitaxy of AlN and GaN on Si(111)

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    2023

    Erschienen in: Physica status solidi. A, Applications and materials science ; 220(2023), 8, Artikel-ID 2200609

  12. Seneza, Cleophace [VerfasserIn]; Berger, Christoph [VerfasserIn]; Witte, Hartmut [VerfasserIn]; Bläsing, Jürgen [VerfasserIn]; Dempewolf, Anja [VerfasserIn]; Dadgar, Armin [VerfasserIn]; Christen, Jürgen [VerfasserIn]; Strittmatter, André [VerfasserIn]

    Highly reflective and conductive AlInN/GaN distributed Bragg reflectors realized by Ge-doping

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    2020

    Erschienen in: DPG-Frühjahrstagung ; 2020, Vortrag: HL 30.27

  13. Hörich, Florian [VerfasserIn]; Bläsing, Jürgen [VerfasserIn]; Grümbel, Jona [VerfasserIn]; Feneberg, Martin [VerfasserIn]; Goldhahn, Rüdiger [VerfasserIn]; Dadgar, Armin [VerfasserIn]; Strittmatter, André [VerfasserIn]

    n-type doping of GaN via pulsed sputter epitaxy

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    2024

    Erschienen in: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; (2024), Artikel-ID HL 1.4

  14. Grümbel, Jona [VerfasserIn]; Lüttich, Christopher [VerfasserIn]; Bläsing, Jürgen [VerfasserIn]; Dadgar, Armin [VerfasserIn]; Feneberg, Martin [VerfasserIn]; Goldhahn, Rüdiger [VerfasserIn]

    Phases of sputtered HfxNy: XRD, Ellipsometry and Raman spectroscopy studies

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    2024

    Erschienen in: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; (2024), Artikel-ID HL 1.11

  15. Hörich, Florian [VerfasserIn]; Lüttich, Christopher [VerfasserIn]; Borgmann, Ralf [VerfasserIn]; Bläsing, Jürgen [VerfasserIn]; Strittmatter, André [VerfasserIn]; Dadgar, Armin [VerfasserIn]

    Growth of ScN and AlScN by reactive sputter epitaxy

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    2023

    Erschienen in: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft ; (2023), Artikel-ID HL 51.7

  16. Manjeshwar, Sushanth Kini [VerfasserIn]; Ciers, Anastasiia [VerfasserIn]; Hellman, Fia [VerfasserIn]; Bläsing, Jürgen [VerfasserIn]; Strittmatter, André [VerfasserIn]; Wieczorek, Witlef [VerfasserIn]

    High-Q trampoline resonators from strained crystalline InGaP for integrated free-space optomechanics

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    2023

    Erschienen in: Nano letters ; 23(2023), 11, Seite 5076-5082

  17. Kolhep, Maximilian [VerfasserIn]; Sun, Cheng [VerfasserIn]; Bläsing, Jürgen [VerfasserIn]; Christian, Björn P. [VerfasserIn]; Zacharias, Margit [VerfasserIn]

    Epitaxial growth of highly textured ZnO thin films on Si using an AlN buffer layer by atomic layer deposition

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    New York, NY: American Vacuum Society, 2021

    Erschienen in: Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films ; 39, 3 (2021), 032401

  18. Berger, Christoph [VerfasserIn]; Neugebauer, Silvio [VerfasserIn]; Seneza, Cleophace [VerfasserIn]; Witte, Hartmut [VerfasserIn]; Bläsing, Jürgen [VerfasserIn]; Dadgar, Armin [VerfasserIn]; Strittmatter, André [VerfasserIn]

    GaN:Ge as transparent conductive nitride contact layer for blue tunnel-junction LEDs

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    2020

    Erschienen in: DPG-Frühjahrstagung ; 2020, Vortrag: HL 8.3

  19. Grümbel, Jona [VerfasserIn]; Ning, Pingfan [VerfasserIn]; Bläsing, Jürgen [VerfasserIn]; Jeon, Dae-Woo [VerfasserIn]; Feneberg, Martin [VerfasserIn]; Goldhahn, Rüdiger [VerfasserIn]

    Raman-Spectroscopy of corundum-like α-Ga 2O 3 grown by HVPE

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    2020

    Erschienen in: DPG-Frühjahrstagung ; 2020, Vortrag: HL 72.2

  20. Kluth, Elias [VerfasserIn]; Lange, Karsten [VerfasserIn]; Wienecke, Matthias [VerfasserIn]; Bläsing, Jürgen [VerfasserIn]; Witte, Hartmut [VerfasserIn]; Dadgar, Armin [VerfasserIn]; Goldhahn, Rüdiger [VerfasserIn]; Feneberg, Martin [VerfasserIn]

    Size-effect of donors on the lattice parameters of wurtzite GaN

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    2020

    Erschienen in: DPG-Frühjahrstagung ; 2020, Vortrag: HL 68.3