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  1. Lucovsky, Gerald [Herausgeber:in]; Ibbotson, Dale E. [Herausgeber:in]

    Characterization of plasma-enhanced CVD processes : symposium held November 27 - 28, 1989, Boston, Masachusetts, U.S.A.

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    Pittsburgh, Pa.: Materials Research Soc., 1990

    Erschienen in: Materials Research Society: Materials Research Society symposium proceedings ; 16500

  2. Lucovsky, Gerald

    Preface

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    American Vacuum Society, 2010

    Erschienen in: Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 28 (2010) 4, Seite 632-632

  3. Lucovsky, Gerald

    Preface

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    American Vacuum Society, 2009

    Erschienen in: Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 27 (2009) 4, Seite 736-736

  4. Lucovsky, Gerald

    Interfacial Trapping at Spectroscopically-detected Oxygen vacancies in Nano-crystalline ZrO2 and HfO2:An Engineering Solution for Elimination of Vacancy Defects in Non-crystalline Ternary Silicate Alloys

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    The Electrochemical Society, 2006

    Erschienen in: ECS Meeting Abstracts, MA2005-02 (2006) 13, Seite 544-544

  5. Lucovsky, Gerald

    Interdisciplinary Approach: Annual Review of Materials Science . Vol. 1. Robert A. Huggins, Richard H. Bube, and Richard W. Roberts, Eds. Annual Reviews, Palo Alto, Calif., 1971. x, 420 pp., illus. $10

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    American Association for the Advancement of Science (AAAS), 1972

    Erschienen in: Science, 175 (1972) 4029, Seite 1452-1452

  6. Lucovsky, Gerald

    Interdisciplinary Approach: Annual Review of Materials Science . Vol. 1. Robert A. Huggins, Richard H. Bube, and Richard W. Roberts, Eds. Annual Reviews, Palo Alto, Calif., 1971. x, 420 pp., illus. $10

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    American Association for the Advancement of Science (AAAS), 1972

    Erschienen in: Science, 175 (1972) 4029, Seite 1452-1452

  7. Lucovsky, Gerald; Kim, Jinwoo

    Transport through singlet states in resistive memory materials: Magneli-phase, TinO2n−1 for 9 ≥ n > 3, and TiO2-HfO2 alloys

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    American Vacuum Society, 2013

    Erschienen in: Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena, 31 (2013) 1