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  2. Lahr, Oliver [Verfasser:in]; Steudel, Max [Verfasser:in]; von Wenckstern, Holger [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Mechanical Stress Stability of Flexible Amorphous Zinc Tin Oxide Thin-Film Transistors

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    Lausanne: Frontiers Media S.A., [2024]

    Erschienen in: Frontiers in Electronics ; 2, (2021)

  3. Zhang, Zhipeng [Verfasser:in]; Wenckstern, Holger von [Verfasser:in]; Lenzner, Jörg [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Wavelength-selective ultraviolet (Mg,Zn)O photodiodes : Tuning of parallel composition gradients with oxygen pressure

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    Melville: American Institute of Physics, 2016

    Erschienen in: Applied Physics Letters ; 108 (2016), 243503

  4. Klüpfel, Fabian J. [Verfasser:in]; Wenckstern, Holger von [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Low frequency noise of ZnO based metal-semiconductor field-effect transistors

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    Melville: American Institute of Physics, 2015

    Erschienen in: Applied Physics Letters ; 106 (2015), 033502

  5. Janzen, Benjamin Moritz [Verfasser:in] ; Wagner, Markus R. [Akademische:r Betreuer:in]; Wagner, Markus R. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Thomsen, Christian [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Wenckstern, Holger von [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Vibrational and optical properties of gallium oxide polymorphs

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    Berlin: Technische Universität Berlin, 2024

  6. Jawinski, Tanja [Verfasser:in]; Sturm, Chris [Verfasser:in]; Clausing, Roland [Verfasser:in]; Kempa, Heiko [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]; Scheer, Roland [Verfasser:in]; Wenckstern, Holger von [Verfasser:in]

    Highly crystalline In2S3 thin films epitaxially grown on sapphire substrates

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    2022

    Erschienen in: AIP Advances ; 12(2022), 12, Artikel-ID 125215

  7. Mavlonov, Abdurashid A. [Verfasser:in]; Richter, Steffen [Verfasser:in]; Wenckstern, Holger von [Verfasser:in]; Schmidt-Grund, Rüdiger [Verfasser:in]; Lorenz, Michael [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Temperature dependent self-compensation in Al- and Ga-doped Mg0.05 Zn0.95O thin films grown by pulsed laser deposition

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    Melville: American Institute of Physics, 2016

    Erschienen in: Journal of Applied Physics ; 120 (2016), 205703

  8. Zhang, Zhipeng [Verfasser:in]; Wenckstern, Holger von [Verfasser:in]; Lenzner, Jörg [Verfasser:in]; Lorenz, Michael [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Visible-blind and solar-blind ultraviolet photodiodes based on (InxGa1-x)2O3

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    Melville: American Institute of Physics, 2016

    Erschienen in: Applied Physics Letters ; 108 (2016), 123503

  9. Kranert, Christian [Verfasser:in]; Jenderka, Marcus [Verfasser:in]; Lenzner, Jörg [Verfasser:in]; Lorenz, Michael [Verfasser:in]; Wenckstern, Holger von [Verfasser:in]; Schmidt-Grund, Rüdiger [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Lattice parameters and Raman-active phonon modes of β-(AlxGa1−x)2O3

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    Melville: American Institute of Physics, 2015

    Erschienen in: Journal of Applied Physics ; 117 (2015), 125703

  10. Schmidt-Grund, Rüdiger [Verfasser:in]; Kranert, Christian [Verfasser:in]; Böntgen, Tammo [Verfasser:in]; Wenckstern, Holger von [Verfasser:in]; Krauß, Hannes [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Dielectric function in the NIR-VUV spectral range of (InxGa1-x)2O3 thin films

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    Melville: American Institute of Physics, 2014

    Erschienen in: Journal of Applied Physics ; 116 (2014), 053510

  11. Schmidt-Grund, Rüdiger [Verfasser:in]; Kranert, Christian [Verfasser:in]; Wenckstern, Holger von [Verfasser:in]; Zviagin, Vitaly [Verfasser:in]; Lorenz, Michael [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Dielectric function in the spectral range (0.5–8.5)eV of an (Alx Ga1−x )2O3 thin film with continuous composition spread

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    Melville: American Institute of Physics, 2014

    Erschienen in: Journal of Applied Physics ; 117 (2014), 165307

  12. Schein, Friedrich-Leonhard [Verfasser:in]; Winter, Markus [Verfasser:in]; Böntgen, Tammo [Verfasser:in]; Wenckstern, Holger von [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Highly rectifying p-ZnCo2O4/n-ZnO heterojunction diodes

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    Melville: American Institute of Physics, 2014

    Erschienen in: Applied Physics Letters ; 104 (2014), 022104

  13. Schmidt, Florian [Verfasser:in]; Müller, Stefan [Verfasser:in]; Wenckstern, Holger von [Verfasser:in]; Benndorf, Gabriele [Verfasser:in]; Pickenhain, Rainer [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Impact of strain on electronic defects in (Mg,Zn)O thin films

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    Melville: American Institute of Physics, 2014

    Erschienen in: Journal of Applied Physics ; 116 (2014), 103703

  14. Kranert, Christian [Verfasser:in]; Lenzner, Jörg [Verfasser:in]; Jenderka, Marcus [Verfasser:in]; Lorenz, Michael [Verfasser:in]; Wenckstern, Holger von [Verfasser:in]; Schmidt-Grund, Rüdiger [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Lattice parameters and Raman-active phonon modes of (InxGa1–x)2O3 for x < 0.4

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    Melville: American Institute of Physics, 2014

    Erschienen in: Journal of Applied Physics ; 116 (2014), 013505

  15. Müller, Stefan [Verfasser:in]; Wenckstern, Holger von [Verfasser:in]; Schmidt, Florian [Verfasser:in]; Splith, Daniel [Verfasser:in]; Heinhold, Robert [Verfasser:in]; Allen, Martin [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Method of choice for fabrication of high-quality ZnO-based Schottky diodes

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    Melville: American Institute of Physics, 2014

    Erschienen in: Journal of Applied Physics ; 116 (2014), 194506

  16. von Wenckstern, Holger [Verfasser:in]; Splith, Daniel Thomas [Verfasser:in]; Schmidt, Florian [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]; Bierwagen, Oliver [Verfasser:in]; Speck, James S. [Verfasser:in] ; Universität Leipzig, Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, University of California

    Schottky contacts to In2O3

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    NY: AIP Publ., Melville, [2014]

  17. Krieg, Linus [Verfasser:in]; Zhang, Zhipeng [Verfasser:in]; Splith, Daniel [Verfasser:in]; von Wenckstern, Holger [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]; Wang, Xiaoxue [Verfasser:in]; Gleason, Karen K. [Verfasser:in]; Voss, Tobias [Verfasser:in]

    Controlled formation of Schottky diodes on n-doped ZnO layers by deposition of p-conductive polymer layers with oxidative chemical vapor deposition

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    Bristol: IOP Publishing, [2023]

    Erschienen in: Nano Express ; 1, (2020)

  18. Auret, F.D. [Verfasser:in]; Meyer, W.E. [Verfasser:in]; Janse van Rensburg, P.J. [Verfasser:in]; Hayes, M. [Verfasser:in]; Nel, J.M. [Verfasser:in]; von Wenckstern, Holger [Verfasser:in]; Hochmuth, Holger [Verfasser:in]; Biehne, G. [Verfasser:in]; Lorenz, Michael [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Electronic properties of shallow level defects in ZnO grown by pulsed laser deposition

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    Bristol: IOP Publishing, [2022]

    Erschienen in: Journal of Physics ; 100, (2008)

  19. Auret, F.D. [Verfasser:in]; Meyer, W.E. [Verfasser:in]; Janse van Rensburg, P.J. [Verfasser:in]; Hayes, M. [Verfasser:in]; Nel, J.M. [Verfasser:in]; von Wenckstern, Holger [Verfasser:in]; Hochmuth, Holger [Verfasser:in]; Biehne, G. [Verfasser:in]; Lorenz, Michael [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]

    Electronic properties of shallow level defects in ZnO grown by pulsed laser deposition

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    Bristol: IOP Publishing, [2022]

    Erschienen in: Journal of Physics ; 100, (2008)

  20. Fares, Chaker [Verfasser:in]; Xian, Minghan [Verfasser:in]; Smith, David J. [Verfasser:in]; McCartney, M.R. [Verfasser:in]; Kneiß, Max [Verfasser:in]; von Wenckstern, Holger [Verfasser:in]; Grundmann, Marius [Verfasser:in]; Tadjer, Marko [Verfasser:in]; Ren, Fan [Verfasser:in]; Pearton, S.J. [Verfasser:in]

    Annealing Effects on the Band Alignment of ALD SiO2 on (Inx Ga1−x )2 O3 for x = 0.25–0.74

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    Bristol: IOP Publishing, [2023]

    Erschienen in: ECS Journal of Solid State Science and Technology ; 9, (2020)