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  2. Kuball, Martin [Sonstige Person, Familie und Körperschaft] ; Symposium GaN, Aln, InN and Related Materials 2005 Boston, Mass

    GaN, AlN, InN and related materials : symposium held November 28 - December 2, 2005, Boston, Massachusetts, U.S.A. ; [Symposium FF... held ... at the 2005 MRS fall meeting]

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    Warrendale, Pa.: Materials Research Society, 2006

    Erschienen in: Materials Research Society: Materials Research Society symposium proceedings ; 89200

  3. Dahmani, Samir [VerfasserIn]

    Large-Size AlGaN/GaN HEMT Large-Signal Electrothermal Characterization and Modeling for Wireless Digital Communications

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    Kassel: Universitätsbibliothek Kassel, 2012

  6. Debald, Arne [VerfasserIn] ; Vescan, Andrei [AkademischeR BetreuerIn]; Scholz, Ferdinand [AkademischeR BetreuerIn]

    Selektive metallorganische Gasphasenepitaxie für (quasi-)vertikale GaN-basierte Leistungsbauelemente

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    Aachen: Universitätsbibliothek der RWTH Aachen, 2022

  14. Baron, Elias [VerfasserIn] ; Feneberg, Martin [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Effekte freier Ladungsträger auf die optischen Eigenschaften von kubischem Galliumnitrid

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    Magdeburg: Universitätsbibliothek Otto-von-Guericke-Universität, 2023

  17. Cancellara, Leonardo [VerfasserIn] ; Kneissl, Michael [AkademischeR BetreuerIn]; Albrecht, Martin [AkademischeR BetreuerIn]; Kneissl, Michael [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Vennéguès, Philippe [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Transmission electron microscopy investigations on the recovery mechanisms of epitaxial AlN upon high-temperature annealing

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    Berlin: Technische Universität Berlin, 2023

  18. Sidikejiang, Shawutijiang [VerfasserIn] ; Hangleiter, Andreas [AkademischeR BetreuerIn]; Kück, Stefan [AkademischeR BetreuerIn]

    Optical and structural properties of (Al, Ga, In) N structures

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    Braunschweig: Technische Universität Braunschweig, 2022

  19. Danylyuk, Serhiy [VerfasserIn]

    Design and development of radiation resistant and low noise semiconductor transistors for applications in high frequency communication systems

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