Numerical simulation of two-dimensional electron transport in GaAs MESFETS using fully nonstationary transport models

Media type: Book; Thesis
Title: Numerical simulation of two-dimensional electron transport in GaAs MESFETS using fully nonstationary transport models
Contains: Literaturverz. S. 93 - 100

Contributor: Feng, Yukun [Author]; Schünemann, Klaus [Other]; Paul, Reinhold [Other]
Corporation: Technische Universität Hamburg-Harburg, Arbeitsbereich Elektrotechnik III, Hochfrequenztechnik
Published: Düsseldorf: VDI-Verl., 1991
Published in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 114
Issue: Als Ms. gedr.
Extent: IX, 171 S.; graph. Darst; 21 cm
Language: English
ISBN: 3181414093
Keywords: MES-FET > Galliumarsenid-Bauelement > Elektronentransport > Simulation
Origination:
University thesis: Zugl.: Hamburg-Harburg, Techn. Univ., Arbeitsbereich Hochfrequenztechnik, Diss., 1991
Footnote:

Numerical simulation of two-dimensional electron transport in GaAs MESFETS using fully nonstationary transport models - [Als Ms. gedr.]